Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
Обзор посвящен систематизации экспериментальных и теоретических результатов, свидетельствующих о возможности управления физико-химическими свойствами абсолютно нового класса приборов молекулярной электроники (МОЭ). Именно МОЭ будет определять ключевые позиции технологии XXI ст. Подчеркнуто, что упра...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | Ковальчук, В.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70767 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике / В.В. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 6-14. — Бібліогр.: 78 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Ультрадисперсные алмазы как антиоксидантные препараты
за авторством: Шугалей, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Шугалей, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
Модель теплопереноса в силовой электронике
за авторством: Кузнецов, Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Кузнецов, Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Наноинтеграция и самосборка в нано-электронике (обзор)
за авторством: Свечников, Г.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Свечников, Г.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003) -
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003) -
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)