Микрочиповые лазеры

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автори: Матковский, А.О., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б., Мельник, С.C., Вакив, Н.М., Ижнин, И.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Функциональная микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70768
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.

Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Passive Q-switched microchip lasers are considered as solid-state microlasers of new generation with semiconductor laser diode pumping. Thanks to of small emitting medium size (~1 mm3) and the good quality characteristics of generated light they are promising radiation sources of coherence single-mode radiation in the fields where short pulses of the few micro-joules output energy with peak power up to several tens of kilowatts are required. Authors present their results in a growth and testing of the epitaxial structures YAG-Nd/YAG-Cr and GGG-Nd/GGG-Cr as active media for passively Q-switched microchip lasers.