Микрочиповые лазеры
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в неско...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70768 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862741309977001984 |
|---|---|
| author | Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. |
| author_facet | Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. |
| citation_txt | Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности.
Passive Q-switched microchip lasers are considered as solid-state microlasers of new generation with semiconductor laser diode pumping. Thanks to of small emitting medium size (~1 mm3) and the good quality characteristics of generated light they are promising radiation sources of coherence single-mode radiation in the fields where short pulses of the few micro-joules output energy with peak power up to several tens of kilowatts are required. Authors present their results in a growth and testing of the epitaxial structures YAG-Nd/YAG-Cr and GGG-Nd/GGG-Cr as active media for passively Q-switched microchip lasers.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:19:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70768 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:19:04Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. 2014-11-12T07:48:31Z 2014-11-12T07:48:31Z 2002 Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70768 621.373.8.038.825 Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Passive Q-switched microchip lasers are considered as solid-state microlasers of new generation with semiconductor laser diode pumping. Thanks to of small emitting medium size (~1 mm3) and the good quality characteristics of generated light they are promising radiation sources of coherence single-mode radiation in the fields where short pulses of the few micro-joules output energy with peak power up to several tens of kilowatts are required. Authors present their results in a growth and testing of the epitaxial structures YAG-Nd/YAG-Cr and GGG-Nd/GGG-Cr as active media for passively Q-switched microchip lasers. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Микрочиповые лазеры Microchip lasers Article published earlier |
| spellingShingle | Микрочиповые лазеры Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. Функциональная микроэлектроника |
| title | Микрочиповые лазеры |
| title_alt | Microchip lasers |
| title_full | Микрочиповые лазеры |
| title_fullStr | Микрочиповые лазеры |
| title_full_unstemmed | Микрочиповые лазеры |
| title_short | Микрочиповые лазеры |
| title_sort | микрочиповые лазеры |
| topic | Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70768 |
| work_keys_str_mv | AT matkovskiiao mikročipovyelazery AT syvorotkaim mikročipovyelazery AT ubizskiisb mikročipovyelazery AT melʹniksc mikročipovyelazery AT vakivnm mikročipovyelazery AT ižninii mikročipovyelazery AT matkovskiiao microchiplasers AT syvorotkaim microchiplasers AT ubizskiisb microchiplasers AT melʹniksc microchiplasers AT vakivnm microchiplasers AT ižninii microchiplasers |