Микрочиповые лазеры - Матковский, А.О.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б.; Мельник, С.C.; Вакив, Н.М.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Passive Q-switched microchip lasers are considered as solid-state microlasers of new generation with semiconductor laser diode pumping. Thanks to of small emitting medium size (~1 mm3) and the good quality characteristics of generated light they are promising radiation sources of coherence single-mode radiation in the fields where short pulses of the few micro-joules output energy with peak power up to several tens of kilowatts are required. Authors present their results in a growth and testing of the epitaxial structures YAG-Nd/YAG-Cr and GGG-Nd/GGG-Cr as active media for passively Q-switched microchip lasers.