Микрочиповые лазеры
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в неско...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | Матковский, А.О., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б., Мельник, С.C., Вакив, Н.М., Ижнин, И.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70768 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
von: Izhnin, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Izhnin, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Газоразрядные лазеры терагерцевого диапазона
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)
Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Ähnliche Einträge
-
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)