Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Authors: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Мрыхин, И.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Сенсоэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ. Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE.