Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70772 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. 2014-11-12T07:56:00Z 2014-11-12T07:56:00Z 2002 Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 537.311.8:621.315.592 Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ. Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi Gauges of a hall on the basis of structures GaAs received low temperatures LPE from Bi-melts Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| spellingShingle |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. Сенсоэлектроника |
| title_short |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_full |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_fullStr |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_full_unstemmed |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_sort |
датчики холла на основе структур gaas, полученных низкотемпературной жфэ из расплавов bi |
| author |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. |
| author_facet |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. |
| topic |
Сенсоэлектроника |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Gauges of a hall on the basis of structures GaAs received low temperatures LPE from Bi-melts |
| description |
Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ.
Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 |
| citation_txt |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vakivnm datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT krukovskiisi datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT zaverbnyiir datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT mryhinia datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT vakivnm gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT krukovskiisi gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT zaverbnyiir gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT mryhinia gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts |
| first_indexed |
2025-12-07T18:59:10Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:59:10Z |
| _version_ |
1850877096987983872 |