Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860264555681153024 |
|---|---|
| author | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. |
| author_facet | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. |
| citation_txt | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ.
Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:59:10Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3
34
ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
ÄÀÒ×ÈÊÈ ÕÎËËÀ ÍÀ ÎÑÍÎÂÅ ÑÒÐÓÊÒÓÐ GaAs, ÏÎËÓ×ÅÍÍÛÕ
ÍÈÇÊÎÒÅÌÏÅÐÀÒÓÐÍÎÉ ÆÔÝ ÈÇ ÐÀÑÏËÀÂÎÂ Bi
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
10.12 2001 ã.
Îïïîíåíò ä. ô.-ì. í. À. È. ÊËÈÌÎÂÑÊÀß
(ÈÔÏÏ ÍÀÍÓ, ã. Êèåâ)
Ê. ò. í. Í. Ì. ÂÀÊÈÂ, ê. ò. í. Ñ. È. ÊÐÓÊÎÂÑÊÈÉ,
È. Ð. ÇÀÂÅÐÁÍÛÉ, È. À. ÌÐÛÕÈÍ
Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ, ÍÏÏ �Êàðàò�
E-mail: granat@carat.lviv.ua
Ðàññìîòðåíû îñîáåííîñòè ïîëó÷åíèÿ
ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð ï. è.*-GaAs�
n-GaAs èç Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ
è ïàðàìåòðû äàò÷èêîâ Õîëëà, èçãîòîâ-
ëåííûõ íà èõ îñíîâå.
 íàñòîÿùåå âðåìÿ õîëëîâñêèå äàò÷èêè ÿâëÿþòñÿ
õîðîøî îòðàáîòàííûìè ïîëóïðîâîäíèêîâûìè ïðèáî-
ðàìè è øèðîêî èñïîëüçóþòñÿ â ðàçëè÷íûõ îòðàñëÿõ
òåõíèêè.
Àíàëèç äàò÷èêîâ Õîëëà âåäóùèõ ìèðîâûõ ôèðì
(ñì. òàáë. 1) ïîêàçàë, ÷òî îñíîâíûìè ìàòåðèàëàìè
äëÿ ñîçäàíèÿ äàò÷èêîâ Õîëëà ÿâëÿþòñÿ GaAs, InAs,
InSb. Àðñåíèä ãàëëèÿ èìååò ðÿä ïðåèìóùåñòâ ïåðåä
îñòàëüíûìè, ÷òî îáóñëîâëåíî åãî âûñîêîé ãðàíè÷-
íîé ðàáî÷åé òåìïåðàòóðîé, à òàêæå õîðîøî îòðàáî-
òàííîé òåõíîëîãèåé ïîëó÷åíèÿ âûñîêîêà÷åñòâåííûõ
ïîëóèçîëèðóþùèõ ïîäëîæåê.
Äàò÷èêè Õîëëà (ÄÕ) èçãîòîâëÿþòñÿ íà îñíîâå òîíêèõ
ïëàñòèí îáúåìíîãî ïîëóïðîâîäíèêîâîãî ìàòåðèàëà, ýïè-
òàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð, à òàêæå èîííî-èìïëàíòèðîâàí-
íûõ ñòðóêòóð. Èç ñðàâíåíèÿ çíà÷åíèé âõîäíîãî (Râõ) è
âûõîäíîãî (Râûõ) ñîïðîòèâëåíèé ñëåäóåò, ÷òî áîëüøèí-
ñòâî õîëëîâñêèõ äàò÷èêîâ îáëàäàþò íåñèììåòðè÷íûì
÷óâñòâèòåëüíûì ýëåìåíòîì. Äëÿ âûñîêî÷óâñòâèòåëüíûõ
äàò÷èêîâ õàðàêòåðíûì ÿâëÿåòñÿ áîëüøîé ðàçáðîñ íîð-
ìèðîâàííîé ìàãíèòíîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè (â ïðåäåëàõ
15�50%). Íàèáîëåå ðàçíîîáðàçíàÿ íîìåíêëàòóðà äàò-
÷èêîâ èçãîòîâëÿåòñÿ íà îñíîâå èîííî-èìïëàíòèðîâàí-
íûõ ñòðóêòóð. Ýòè äàò÷èêè õàðàêòåðèçóþòñÿ, êàê ïðàâè-
ëî, íàèáîëüøåé ÷óâñòâèòåëüíîñòüþ, îäíàêî çíà÷åíèÿ
òåìïåðàòóðíûõ êîýôôèöèåíòîâ õîëëîâñêîãî íàïðÿæåíèÿ
(Ux) è îñòàòî÷íîãî íàïðÿæåíèÿ (U0) ïî÷òè â äâà ðàçà áîëü-
øå, ÷åì â äàò÷èêàõ Õîëëà, èçãîòîâëåííûõ íà îñíîâå ýïè-
òàêñèàëüíûõ ñëîåâ.
Îñîáåííîñòüþ âûñîêî÷óâñòâèòåëüíûõ äàò÷èêîâ Õîë-
ëà ÿâëÿåòñÿ áîëüøîå çíà÷åíèå Râõ. Ïîýòîìó â àïïàðàòó-
ðå, ãäå ëèìèòèðóåòñÿ ïîòðåáëÿåìàÿ ìîùíîñòü, íåîáõî-
äèìî èñêàòü êîìïðîìèññ ìåæäó ýíåðãîïîòðåáëåíèåì
äàò÷èêà è ýëåêòðîííîé ñõåìû.  òàêèõ ñëó÷àÿõ öåëåñîîá-
ðàçíî èñïîëüçîâàòü äàò÷èêè Õîëëà ñ ìàëûì çíà÷åíèåì
âõîäíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ è, ñîîòâåòñòâåííî, íåâûñîêîé
÷óâñòâèòåëüíîñòüþ. Ïðèìåíåíèå äàò÷èêîâ Õîëëà ñ áîëü-
øèì çíà÷åíèåì U0 è òåìïåðàòóðíîãî êîýôôèöèåíòà îñ-
òàòî÷íîãî íàïðÿæåíèÿ âëåêóò çà ñîáîé íåîáõîäèìîñòü
èñïîëüçîâàíèÿ áîëåå ñëîæíîé ýëåêòðè÷åñêîé ñõåìû, ÷òî,
ñîîòâåòñòâåííî, óâåëè÷èâàåò ñòîèìîñòü ïðèáîðà è åãî
ýíåðãîïîòðåáëåíèå. Ïîýòîìó, íåñìîòðÿ íà äîâîëüíî
ðàçíîîáðàçíóþ íîìåíêëàòóðó ÄÕ, â äàííîå âðåìÿ ñó-
ùåñòâóåò ïîòðåáíîñòü â äàò÷èêàõ Õîëëà, êîòîðûå áû õà-
ðàêòåðèçîâàëèñü íèçêèìè òåìïåðàòóðíûìè êîýôôèöè-
åíòàìè Ux è U0, âûñîêîé ÷óâñòâèòåëüíîñòüþ, à òàêæå íå-
áîëüøîé ñòîèìîñòüþ.
Òèïîâàÿ ýïèòàêñèàëüíàÿ ñòðóêòóðà, ïðèãîäíàÿ äëÿ
èçãîòîâëåíèÿ âûñîêî÷óâñòâèòåëüíûõ ÄÕ, äîëæíà
èìåòü òîëùèíó àêòèâíîãî ñëîÿ ìåíüøå 1 ìêì è êîí-
öåíòðàöèþ ýëåêòðîíîâ íà óðîâíå 5·1016�1·1017 ñì�3.
Ñòðóêòóðû ñ òàêèìè ïàðàìåòðàìè ìîæíî ïîëó÷èòü
ìåòîäàìè ãàçîôàçíîé ýïèòàêñèè (ÃÔÝ), ÌÎÑ-ãèäðèä-
íîé, ìîëåêóëÿðíî-ëó÷åâîé ýïèòàêñèè (ÌËÝ), à òàê-
æå íèçêîòåìïåðàòóðíîé æèäêîôàçíîé ýïèòàêñèåé
(ÆÔÝ) [1].
 äàííîé ðàáîòå ðàññìàòðèâàþòñÿ îñîáåííîñòè
ïîëó÷åíèÿ ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð äëÿ äàò÷èêîâ
Õîëëà ìåòîäîì íèçêîòåìïåðàòóðíîé �âèñìóòîâîé�
ÆÔÝ. Èñïîëüçîâàíèå òðàäèöèîííîãî ðàñòâîðèòåëÿ íà
îñíîâå ãàëëèÿ îáåñïå÷èâàåò ñêîðîñòè êðèñòàëëèçà-
öèè 100�200 íì/ñ [2]. Äëÿ âîñïðîèçâîäèìîãî ïî-
ëó÷åíèÿ ñëîåâ òîëùèíîé 0,1 ìêì ìåòîäîì ÆÔÝ ýòà
ñêîðîñòü äîëæíà áûòü íà ïîðÿäîê ìåíüøåé. Îñîáåí-
íîñòè ôàçîâûõ ðàâíîâåñèé â ñèñòåìå Ga�Bi�As, à
èìåííî, S-ïîäîáíûé õîä êðèâîé ëèêâèäóñà [3], ïðå-
äîñòàâëÿþò ïðåêðàñíóþ âîçìîæíîñòü ñóùåñòâåííî
óìåíüøèòü ñêîðîñòè êðèñòàëëèçàöèè ñëîåâ GaAs ïðè
òåìïåðàòóðàõ ðîñòà 500�700°Ñ.
Íèçêàÿ ðàñòâîðèìîñòü ìûøüÿêà â âèñìóòîâûõ è
Ga�Bi-ðàñòâîðàõ-ðàñïëàâàõ ñ áîëüøèì ñîäåðæàíè-
åì âèñìóòà òðåáóåò èñïîëüçîâàíèÿ ïåðåîõëàæäåííûõ
ðàñïëàâîâ, ïðè÷åì ñ óìåíüøåíèì ðàñòâîðèìîñòè ìû-
øüÿêà âåëè÷èíà äîïóñòèìîãî ïåðåîõëàæäåíèÿ ðàñ-
ïëàâà âîçðàñòàåò. Äëÿ íàðàùèâàíèÿ ñëîåâ GaAs èç
Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ íàìè áûë âûáðàí ìå-
òîä ðåçêîãî îõëàæäåíèÿ, îáåñïå÷èâàþùèé ïîëó÷å-
íèå áîëåå ãëàäêèõ ñëîåâ, à òàêæå ãðàíèö ðàçäåëà ìåæ-
äó ñëîÿìè.
Íà ðèñ. 1 ïðèâåäåíû ðàññ÷èòàííûå ïî ôîðìóëå
(1) [4, ñ. 132] è ýêñïåðèìåíòàëüíî îïðåäåëåííûå çà-
âèñèìîñòè òîëùèíû ñëîåâ GaAs îò êîíöåíòðàöèè âèñ-
ìóòà â ðàñïëàâå ãàëëèÿ äëÿ ðàçíûõ òåìïåðàòóð êðèñ-
òàëëèçàöèè.
,vtTt
ð
D
mC
d ,,
,
S
+
= 5150
50
As 3
4
Ä2
1
(1)
* ï. è. � ïîëóèçîëèðóþùèé.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3
35
ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
ïëàâîâ (70 àò.%) ïðè òåìïåðàòóðàõ êðèñòàëëèçàöèè 973 Ê,
ïî÷òè â 25 ðàç ìåíüøå, ÷åì òîëùèíû ñëîåâ, ïîëó÷åííûõ
èç ãàëëèåâûõ ðàñïëàâîâ. Îäíàêî íàáëþäàåìîå àíîìàëü-
íîå ñíèæåíèå ñêîðîñòè êðèñòàëëèçàöèè ñëîåâ GaAs â ñè-
ñòåìå Ga�Bi�GaAs, ê ñîæàëåíèþ, íå ìîæåò íàéòè øè-
ðîêîãî ïðàêòè÷åñêîãî ïðèìåíåíèÿ èç-çà çíà÷èòåëüíîãî
óõóäøåíèÿ ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê ýïèòàêñè-
àëüíûõ ñëîåâ.
Ïðîâåäåííûå íàìè èññëåäîâàíèÿ çàâèñèìîñòè êîí-
öåíòðàöèè îñíîâíûõ íîñèòåëåé è èõ ïîäâèæíîñòè â ñëî-
ÿõ, ïîëó÷åííûõ èç Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ ðàçëè÷-
íîãî ñîñòàâà, ïðèâåäåíû íà ðèñ. 2. Â èíòåðâàëå êîíöåíò-
ðàöèé âèñìóòà â ðàñïëàâå îò 20 äî 80 àò.% êîíöåíòðàöèÿ
ýëåêòðîíîâ (ï) âîçðàñòàåò è äîñòèãàåò ìàêñèìàëüíîãî çíà-
÷åíèÿ, à ïîäâèæíîñòü (µ) ñíèæàåòñÿ äî 2500 ñì2/Â⋅ñ, è
òîëüêî ïðè 97 àò.% âèñìóòà êîíöåíòðàöèÿ ýëåêòðîíîâ
ðåçêî óìåíüøàåòñÿ, à ïîäâèæíîñòü äîñòèãàåò ìàêñèìàëü-
íîãî çíà÷åíèÿ, êîòîðîå äàæå âûøå, ÷åì â ñëîÿõ, ïîëó-
÷åííûõ èç ãàëëèåâûõ ðàñïëàâîâ.
Ðàññìîòðèì îäèí èç âîçìîæíûõ ìåõàíèçìîâ, îáúÿñ-
íÿþùèé òàêîå ïîâåäåíèå ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ
GaAs, âûðàùåííîãî èç Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ. Èç-
âåñòíî, ÷òî îñíîâíûìè ôîíîâûìè ïðèìåñÿìè â GaAs
ÿâëÿþòñÿ êðåìíèé è óãëåðîä. Óãëåðîä ïðîÿâëÿåò ÿðêî
âûðàæåííûå àêöåïòîðíûå ñâîéñòâà, è åãî êîíöåíòðàöèÿ
â ñëîÿõ íå çàâèñèò îò ñîñòàâà Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëà-
âîâ [5]. Çíà÷èòåëüíî ñëîæíåå ïîâåäåíèå êðåìíèÿ, êîòî-
ðûé ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ è ìàëûõ êîíöåíòðàöèÿõ
çàíèìàåò óçëû àòîìîâ ãàëëèÿ, ïðîÿâëÿÿ ïðè ýòîì äîíîð-
íûå ñâîéñòâà [6, ñ. 147]. Ïðè âûðàùèâàíèè ñëîåâ GaAs èç
ãàëëèåâûõ ðàñïëàâîâ êîíöåíòðàöèÿ âàêàíñèé ãàëëèÿ
(NVGa) â íèõ çíà÷èòåëüíî ìåíüøå êîíöåíòðàöèè âàêàí-
ñèé ìûøüÿêà (NVAs). Óâåëè÷åíèå êîíöåíòðàöèè âèñìóòà
Òàáëèöà 1
Ïàðàìåòðû íàèáîëåå òèïè÷íûõ äàò÷èêîâ Õîëëà âåäóùèõ ôèðì
Ñ
ï
î
ñî
á
ï
î
ë
ó
÷
åí
è
ÿ
àê
òè
â
í
î
ãî
ñ
ë
î
ÿ
Ê
î
ä
ñ
åí
ñî
ð
à
Í
î
ì
è
í
àë
üí
û
é
òî
ê
,
ì
À
Í
î
ð
ì
è
ð
î
â
àí
í
àÿ
ì
àã
í
è
òí
àÿ
÷
ó
â
-
ñò
â
è
òå
ë
üí
î
ñò
ü,
Â
/À
⋅Ò
Ì
è
í
è
ì
àë
üí
î
å
â
õ
î
ä
í
î
å
ñî
ï
ð
î
-
òè
â
ë
åí
è
å,
Î
ì
Ì
è
í
è
ì
àë
üí
î
å
â
û
õ
î
ä
í
î
å
ñî
-
ï
ð
î
òè
â
ë
åí
è
å,
Î
ì
Ì
àê
ñè
ì
àë
üí
î
å
í
î
ð
ì
è
ð
î
â
àí
í
î
å
î
ñò
àò
î
÷
í
î
å
í
à-
ï
ð
ÿ
æ
åí
è
å,
U
0,
ì
Â
/ì
À
Ò
åì
ï
åð
àò
ó
ð
í
û
é
ê
î
ýô
ô
è
ö
è
åí
ò
í
àï
ð
ÿ
æ
åí
è
ÿ
,
U
õ
,
%
/Ê
Ò
åì
ï
åð
àò
ó
ð
í
û
é
ê
î
ýô
ô
è
ö
è
åí
ò
î
ñ
-
òà
òî
÷
í
î
ãî
í
àï
ð
ÿ
-
æ
åí
è
ÿ
,
ì
ê
Â
/Ê
Ñ
òî
è
ì
î
ñò
ü,
$
HHP-SP1 5 10 150 150 0,04 — — —
HHP-SA1 5 10 150 150 0,04 — — —
KSY442 7 150–265 600 1000 2,1 0,03 –0,3 —
ÏÕÈ3123 — 400 5000 5000 — 0,5 50 —
Ýïèòàê-
ñèÿ
ÏÕÈ6113 — 1000 700 700 — < –2 < ±200 —
KSY462 7 150–265 600 1000 2,1 0,03 –0,3 —
GH-6014 5 100–280 450 580 3,2 –0,07 1 9,0
KSY105 5 170–230 900 900 5,0 –0,05 — —
KSY135 5 190–290 900 900 6,0 –0,05 — —
GH-6004 5 100–280 450 580 3,2 –0,07 1 9,0
GH-7004 5 100–280 450 — 2,8 –0,07 1 5,0
GH-8004 5 190–260 600 600 4,0 –0,07 40 7,0
Èîííàÿ
èìïëàí-
òàöèÿ
HGA-20106 1 110–280 450 — 2,8 –0,06 1 —
KSY167 5 190–260 900 900 4,0 –0,07 — —
MULTY-11 10 5 400 300 0,03 –0,03 0,1 0,6
Îáúåì-
íûé ìàòå-
ðèàë MULTY-71 20 2,5 350 150 0,015 –0,01 0,1 0,7
1 Arepoc, Ñëîâàêèÿ [Arepoc]; 2 Siemens/ Infin./Tecn., Ãåðìàíèÿ [www.infineon. com]; 3 Ðîññèÿ (Ñ.-Ïåòåðáóðã)
[Èíôîðì. ëèñò. ¹¹ 87-0482, 91-0]; 4 F.W.Bell, ÑØÀ [www.fwbell. com; F.W.Bell �Hall generators�, p. 11];
5 Siemens/ Infin./Tecn., Ãåðìàíèÿ [Siemens �Magnetic Sensor� Data Book, p. 137, 140]; 6 Lake Shore, ÑØÀ [Lake
Shore Cr.]; 7 Infineon Tec., Ãåðìàíèÿ [www.infineon. com]
ãäå CS
As �
m �
D �
∆T �
v �
t �
êîíöåíòðàöèÿ ìûøüÿêà â òâåðäîé ôàçå;
íàêëîí êðèâîé ëèêâèäóñà;
êîýôôèöèåíò äèôôóçèè ìûøüÿêà,
D=5·10�6 cì2/ñ;
âåëè÷èíà ïåðåñûùåíèÿ ðàñòâîðà-ðàñïëàâà,
∆T=25°C;
ñêîðîñòü îõëàæäåíèÿ, v=1°C/ìèí;
âðåìÿ, ñ.
Ðèñ. 1. Ýêñïåðèìåíòàëüíûå (òî÷êè) è ðàñ÷åòíûå çàâèñè-
ìîñòè òîëùèí ñëîåâ GaAs îò êîíöåíòðàöèè âèñìóòà â
Ga�Bi-ðàñòâîðå-ðàñïëàâå
0 20 40 60 80 100
10
100
1000
1 — 973 K
2 — 923 K
3 — 873 K
4 — 823 K
4
3
2
1
Bi, àò.%
Òî
ëù
èí
à
ñë
îÿ
,
íì
Òîëùèíà ðîñòîâîãî çàçîðà, ïðèíÿòàÿ äëÿ ðàñ÷åòà, ðàâ-
íà 1ìì.
Êàê âèäíî èç ðèñ. 1, êðèâûå õàðàêòåðèçóþòñÿ S-ïîäîá-
íûì õîäîì. Ìèíèìàëüíûå òîëùèíû ñëîåâ ìîæíî ïîëó-
÷èòü ïðè êîíöåíòðàöèÿõ âèñìóòà â ðàñïëàâå 60�80 àò.%,
ïðè÷åì òîëùèíû ñëîåâ GaAs, ïîëó÷åííûõ èç Ga�Bi-ðàñ-
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3
36
ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
â ðàñïëàâå ïîâûøàåò ñòåõèîìåòðèþ ðàñïëàâà (ñîîòíî-
øåíèå êîëè÷åñòâà àòîìîâ Ga è As), ñëåäñòâèåì ÷åãî ÿâ-
ëÿåòñÿ âûðàâíèâàíèå êîíöåíòðàöèè NVGa è NVAs â ñëîÿõ,
à äëÿ âèñìóòîâîãî ðàñïëàâà äîëæíî âûïîëíÿòüñÿ ñîîò-
íîøåíèå NVGa=NVAs. Óâåëè÷åíèå êîíöåíòðàöèè âàêàí-
ñèé ãàëëèÿ äîëæíî ïðèâîäèòü ê ïðåèìóùåñòâåííîìó
âõîæäåíèþ êðåìíèÿ â ïîäðåøåòêó ãàëëèÿ. Öåíòðû òàêî-
ãî òèïà ÿâëÿþòñÿ äîíîðíûìè, ÷åì è îáóñëîâëåíî ðåçêîå
óâåëè÷åíèå êîíöåíòðàöèè ýëåêòðîíîâ â ýïèòàêñèàëüíûõ
ñëîÿõ GaAs ïðè äîáàâëåíèè âèñìóòà â ðàñòâîð-ðàñïëàâ
ãàëëèÿ.
Íàáëþäàåìîå ïðè áîëåå 60 àò.% Bi â ðàñïëàâå Ga ñíè-
æåíèå êîíöåíòðàöèè ýëåêòðîíîâ è ïîâûøåíèå èõ ïîä-
âèæíîñòè ìîæíî îáúÿñíèòü çíà÷èòåëüíûì óìåíüøåíè-
åì ðàñòâîðèìîñòè ôîíîâîãî êðåìíèÿ â ðàñïëàâàõ âèñ-
ìóòà [5]. Êðîìå òîãî, íà ñíèæåíèå êîíöåíòðàöèè ýëåêò-
ðîíîâ ïðè áîëåå 60 àò.% Bi â Ga ìîæåò îêàçûâàòü ïðî-
öåññ îáðàçîâàíèÿ ñëîæíûõ êîìïëåêñîâ ñ ó÷àñòèåì âèñ-
ìóòà. Ñâÿçûâàíèå âàêàíñèé ãàëëèÿ ïðîèñõîäèò âñëåäñòâèå
òîãî, ÷òî èçîâàëåíòíàÿ ïðèìåñü (âèñìóò), èìåÿ áîëüøîé
òåòðàýäðè÷åñêèé ðàäèóñ, âçàèìîäåéñòâóåò ñ VGa è îáðà-
çóåò êîìïëåêñ, êîòîðûé íå ÿâëÿåòñÿ ýëåêòðè÷åñêè àêòèâ-
íûì. Óìåíüøåíèå îáùåãî êîëëè÷åñòâà ñâîáîäíûõ âà-
êàíñèé ãàëëèÿ ïðèâîäèò ê ñíèæåíèþ âåðîÿòíîñòè çà-
êðåïëåíèÿ êðåìíèÿ â ïîäðåøåòêå ãàëëèÿ è ñíèæåíèþ
ñîîòâåòñòâåííî êîíöåíòðàöèè ýëåêòðîíîâ â ñëîÿõ GaAs.
Òàêèì îáðàçîì, ñ ïðèáîðíîé òî÷êè çðåíèÿ íàèáîëü-
øèé èíòåðåñ ïðåäñòàâëÿåò âèñìóòîâûé óãîë äèàãðàììû
ñîñòîÿíèÿ Ga�Bi�GaAs. Ïðàêòè÷åñêîå ïðèìåíåíèå ìî-
ãóò íàéòè Ga�Bi-ðàñòâîðû-ðàñïëàâû, ñîäåðæàùèå 95�
100 àò.% âèñìóòà. Ìèíèìàëüíûå òîëùèíû ñëîåâ, ïîëó-
÷åííûõ èç ýòèõ ðàñïëàâîâ ïðè òåìïåðàòóðå 873 Ê, ñîñòàâ-
ëÿþò 60�70 íì.
Íà îñíîâå ïîëó÷åííûõ ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàí-
íûõ îïðåäåëåíà çàâèñèìîñòü ñêîðîñòè êðèñòàëëèçà-
öèè ñëîåâ èç Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ (97 àò.%)
îò âðåìåíè êðèñòàëëèçàöèè (ðèñ. 3). Èç ñðàâíåíèÿ
êðèâûõ 1 è 3 ñëåäóåò, ÷òî ïðè âðåìåíè êðèñòàëëèçà-
öèè ñëîåâ GaAs 10 ñåêóíä ñêîðîñòü êðèñòàëëèçàöèè
ñëîåâ ñîñòàâëÿåò 5 íì/ñ. Ýòà âåëè÷èíà íà îäèí ïîðÿ-
äîê ìåíüøå ñêîðîñòè êðèñòàëëèçàöèè ñëîåâ èç ãàë-
ëèåâûõ ðàñïëàâîâ ïðè òåõ æå òåìïåðàòóðàõ êðèñòàë-
ëèçàöèè. Ïðè æèäêîôàçíîé ýïèòàêñèè ìèíèìàëüíîå
âðåìÿ íàðàùèâàíèÿ ñëîÿ îïðåäåëÿåòñÿ âðåìåíåì çà-
ìåíû ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ, êîòîðîå äëÿ íàèáîëåå
ðàñïðîñòðàíåííûõ òèïîâ ïîðøíåâûõ êîíòåéíåðîâ ñî-
ñòàâëÿåò 5�10 ñ. Ïîýòîìó, êàê âèäíî èç ðèñ. 3, ñêî-
ðîñòü êðèñòàëëèçàöèè èç âèñìóòîâûõ ðàñïëàâîâ ïðè
òåìïåðàòóðå 823 Ê ìîæåò ñîñòàâëÿòü 4�5 íì/ñ, ÷òî
âïîëíå äîñòàòî÷íî äëÿ âîñïðîèçâîäèìîãî íàðàùè-
âàíèÿ ñëîåâ òîëùèíîé 0,01�0,1 ìêì.
Îäíîðîäíîñòü ñëîåâ è èõ ñòðóêòóðíîå ñîâåðøåí-
ñòâî îïðåäåëÿþòñÿ ìåòîäîì ïîëó÷åíèÿ è òåõíîëîãè-
÷åñêèìè ïàðàìåòðàìè ïðîöåññà. Ïðè êðèñòàëëèçàöèè
ñëîåâ ãàçîôàçíûìè ìåòîäàìè îäíîðîäíàÿ ãàçîâàÿ
ñìåñü ðåàãåíòîâ ïðîïóñêàåòñÿ íàä íàãðåòîé ïîëóïðî-
âîäíèêîâîé ïîäëîæêîé. Äèíàìèêà ãàçîâîãî ïîòîêà
ïðèâîäèò ê îáðàçîâàíèþ ïðèãðàíè÷íîãî ñëîÿ âîçëå
ïîâåðõíîñòè ïîäëîæêè. Ìåæäó ýòèì ïðèïîâåðõíî-
ñòíûì ñëîåì è îñòàëüíûì îáúåìîì ãàçîâîé ôàçû â
ðåàêòîðå ñóùåñòâóåò ãðàäèåíò êîíöåíòðàöèè, êîòîðûé
îïðåäåëÿåò ñòåïåíü ðàâíîâåñíîñòè ïðîöåññîâ êðèñ-
òàëëèçàöèè. Àíàëîãè÷íûé ãðàäèåíò ñóùåñòâóåò è ïðè
ÆÔÝ ìåæäó ïðèïîâåðõíîñòíûì ñëîåì ðàñòâîðà-ðàñ-
ïëàâà è îñòàëüíûì îáúåìîì æèäêîé ôàçû, îäíàêî åãî
âåëè÷èíà çíà÷èòåëüíî ìåíüøå, ÷åì â ãàçîôàçíûõ ìå-
òîäàõ. Îòìå÷åííûå âûøå îñîáåííîñòè è îïðåäåëÿþò
áîëåå âûñîêîå ñòðóêòóðíîå ñîâåðøåíñòâî ñëîåâ, ïî-
ëó÷åííûõ ÆÔÝ. Ñ ýòîé òî÷êè çðåíèÿ èíòåðåñíûì
ÿâëÿåòñÿ îïðåäåëåíèå âëèÿíèÿ âèñìóòîâûõ ðàñòâî-
ðèòåëåé íà îäíîðîäíîñòü ñëîåâ GaAs, ïîëó÷åííûõ
íèçêîòåìïåðàòóðíîé ÆÔÝ.
Äëÿ ñðàâíåíèÿ ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð, èçãîòîâ-
ëåííûõ ãàçîôàçíûìè ìåòîäàìè è ÆÔÝ, íàìè áûëè
ïîëó÷åíû èç ãàëëèåâûõ è Ga�Bi-ðàñòâîðîâ-ðàñïëà-
âîâ ýïèòàêñèàëüíûå ñòðóêòóðû ï.è.-GaAs�n-GaAs ñ
êîíöåíòðàöèåé ýëåêòðîíîâ (1�3)·1017ñì�3 è òîëùè-
íîé ñëîåâ n-GaAs, ðàâíîé 0,9�1,0 ìêì. Èññëåäîâà-
ëèñü òàêæå ýïèòàêñèàëüíûå ñòðóêòóðû, ïîëó÷åííûå
ÃÔÝ è ÌÎÑ-ãèäðèäíîé ýïèòàêñèåé ñ àíàëîãè÷íûìè
ïàðàìåòðàìè. Íà îñíîâå ýòèõ ñòðóêòóð áûëè èçãîòîâ-
ëåíû ÷óâñòâèòåëüíûå ýëåìåíòû äàò÷èêîâ Õîëëà
(×ÝÄÕ). Êàê ïàðàìåòð, îïðåäåëÿþùèé îäíîðîäíîñòü
ñòðóêòóðû ïî òîëùèíå è êîíöåíòðàöèè, ìû âûáðàëè
âõîäíîå ñîïðîòèâëåíèÿ ×ÝÄÕ. Ýïèòàêñèàëüíûå
ñòðóêòóðû (ÝÑ) íå ðàçäåëÿëèñü íà îòäåëüíûå êðèñ-
òàëëû, à ýëåêòðè÷åñêàÿ ðàçâÿçêà ìåæäó îòäåëüíûìè
÷óâñòâèòåëüíûìè ýëåìåíòàìè íà ñòðóêòóðå îáåñïå-
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü êîíöåíòðàöèè è ïîäâèæíîñòè ýëåê-
òðîíîâ â ñëîÿõ GaAs îò êîíöåíòðàöèè Bi â Ga�Bi-ðà-
ñòâîðå-ðàñïëàâå (300 K)
µ·104,
ñì2/·ñ
5000
4500
4000
3500
3000
2500
0 20 40 60 80 100
Ga àò.% Bi
n·106,
ñì�3
1018
1017
1016
1015
Ðèñ. 3. Ðàñ÷åòíûå è ýêñïåðèìåíòàëüíûå çàâèñèìîñòè
ñêîðîñòè êðèñòàëëèçàöèè cëîåâ GaAs, ïîëó÷åííûõ èç
Ga�Bi, îò âðåìåíè: 1 � 0 aò.% Bi; 2, 3, 4 � 97 aò.% Bi
0,1 1 10 100
Âðåìÿ êðèñòàëëèçàöèè, ñ
1000
100
10
1Ñ
êî
ðî
ñò
ü
êð
èñ
òà
ëë
èç
àö
èè
, í
ì
/ñ
1
2
3
4
1 � 973 Ê
2 � 923 Ê
3 � 873 Ê
4 � 823 Ê
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3
37
ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
÷èâàëàñü ìåçàñòðóêòóðàìè, ÷òî äàâàëî âîçìîæíîñòü
îöåíèòü ðàâíîìåðíîñòü ðàñïðåäåëåíèÿ Râõ ÷óâñòâè-
òåëüíûõ ýëåìåíòîâ ïî ïëîùàäè ñòðóêòóðû.
Ñòåïåíü îäíîðîäíîñòè ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð
õàðàêòåðèçóåò îòêëîíåíèå çíà÷åíèÿ Râõ îò ñðåäíåãî
çíà÷åíèÿ. Êàê âèäíî èç äèàãðàììû, ïðèâåäåííîé íà
ðèñ. 4, îòêëîíåíèå âõîäíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ×ÝÄÕ,
èçãîòîâëåííûõ íà îñíîâå ÝÑ, ïîëó÷åííûõ ìåòîäîì
ÆÔÝ<Ga�Bi>, â äâà ðàçà ìåíüøå, ÷åì â ×ÝÄÕ, èç-
ãîòîâëåííûõ íà ÝÑ, âûðàùåííûõ ÃÔÝ è ÌÎÑ-ãèä-
ðèäíîé ýïèòàêñèåé. Ýòî ñâèäåòåëüñòâóåò îá èõ âûñî-
êîé îäíîðîäíîñòè êàê ïî òîëùèíå, òàê è ïî êîíöåíò-
ðàöèè íîñèòåëåé, à òàêæå î õîðîøåì ñòðóêòóðíîì ñî-
âåðøåíñòâå. Áîëåå âûñîêîé îäíîðîäíîñòüþ õàðàêòå-
ðèçóþòñÿ òàêæå ýïèòàêñèàëüíûå ñëîè n-GaAs, ïîëó-
÷åííûå èç âèñìóòîâûõ ðàñïëàâîâ, ïî ñðàâíåíèþ ñî
ñëîÿìè, âûðàùåííûìè èç ãàëëèåâûõ ðàñïëàâîâ.
Òåõíîëîãèÿ «âèñìóòîâîé» ÆÔÝ îáåñïå÷èâàåò âîñ-
ïðîèçâîäèìîå èçãîòîâëåíèå ñòðóêòóð ï.è.-GaAs�
n-GaAs äèàìåòðîì 40 ìì. Òîëùèíà ýïèòàêñèàëüíîãî
ñëîÿ n-GaAs ìîæåò ñîñòàâëÿòü 0,01 ìêì, à êîíöåíò-
ðàöèÿ ýëåêòðîíîâ èçìåíÿòüñÿ â ïðåäåëàõ îò 1016 äî
1019 ñì�3. Òàêèì îáðàçîì, ýïèòàêñèàëüíûå ñòðóêòó-
ðû ï.è.-GaAs�n-GaAs ïðåäñòàâëÿþò îïðåäåëåííûé
èíòåðåñ ñ òî÷êè çðåíèÿ ïîâûøåíèÿ âûõîäà ãîäíûõ è
óìåíüøåíèÿ ñòîèìîñòè ÄÕ.
Íà îñíîâå ýòèõ ñòðóêòóð àâòîðàìè ðàáîòû èçãî-
òîâëåíû äàò÷èêè Õîëëà. Èõ îñíîâíûå ïàðàìåòðû ïðè-
âåäåíû â òàáë. 2. Îñîáåííîñòüþ äàò÷èêîâ ÿâëÿþòñÿ
ñðàâíèòåëüíî íèçêèå çíà÷åíèÿ òåìïåðàòóðíûõ êîýôè-
öèåíòîâ õîëëîâñêîãî íàïðÿæåíèÿ (Ux) è îñòàòî÷íî-
ãî íàïðÿæåíèÿ (U0) ïî ñðàâíåíèþ ñ äàò÷èêàìè, èç-
ãîòîâëåííûìè íà îñíîâå èîííî-èìïëàíòèðîâàííûõ
ñòðóêòóð (òàáë. 1).
Òåõíîëîãèÿ âèñìóòîâîé ÆÔÝ ñëîåâ GaAs ìîæåò
ïðåäñòàâëÿòü îïðåäåëåíûé èíòåðåñ ñ òî÷êè çðåíèÿ
ïîâûøåíèÿ èõ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè âñëåäñòâèå
èçîâàëåíòíîãî ëåãèðîâàíèÿ. Íà ýòî, â ÷àñòíîñòè, óêà-
çûâàþò ïîëó÷åííûå àâòîðàìè [7] ðåçóëüòàòû èññëå-
äîâàíèé ñêîðîñòè óäàëåíèÿ íîñèòåëåé â GaAs, ëåãè-
ðîâàííîì èíäèåì.
***
Òàêèì îáðàçîì, ñ èñïîëüçîâàíèåì íèçêîòåìïå-
ðàòóðíîé �âèñìóòîâîé� ÆÔÝ ïîëó÷åíû ýïèòàêñèàëü-
íûå ñòðóêòóðû ï.è.-GaAs�n-GaAs:Sn ñ òîëùèíîé
ñëîåâ n-GaAs â ïðåäåëàõ 0,1�1,0 ìêì. Íà îñíîâå
ýòèõ ñòðóêòóð èçãîòîâëåíû äàò÷èêè Õîëëà, èìåþ-
ùèå íèçêèå òåìïåðàòóðíûå êîýôôèöèåíòû õîëëîâ-
ñêîãî è îñòàòî÷íîãî íàïðÿæåíèÿ, à òàêæå âûñîêóþ
÷óâñòâèòåëüíîñòü. Â òî æå âðåìÿ áîëüøèíñòâî äàò-
÷èêîâ Õîëëà, âûïóñêàåìûõ âåäóùèìè ôèðìàìè, èìå-
þò äîñòàòî÷íî âûñîêèå çíà÷åíèÿ òåìïåðàòóðíûõ êî-
ýôôèöèåíòîâ Ux è U0, ÷òî îáóñëîâëåíî òåõíîëîãèåé
èçãîòîâëåíèÿ ñòðóêòóð äëÿ äàò÷èêîâ.
Ñðàâíåíèå îäíîðîäíîñòè ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóê-
òóð, èçãîòîâëåííûõ ìåòîäàìè ÃÔÝ, ÌÎÑ-ãèäðèäíîé
ýïèòàêñèåé è ÆÔÝ, ïîêàçàëî, ÷òî íàèáîëåå îäíî-
ðîäíûìè ïî òîëùèíå è êîíöåíòðàöèè ÿâëÿþòñÿ ñòðóê-
òóðû, âûðàùåííûå íèçêîòåìïåðàòóðíîé �âèñìóòî-
âîé� ÆÔÝ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àëôåðîâ Æ. È., Àíäðååâ Â. Ì., Êîííèêîâ Ñ. Ã. è äð.
Æèäêîôàçíûå AlGaAs-ñòðóêòóðû ñ êâàíòîâî-ðàçìåðíû-
ìè ñëîÿìè òîëùèíîé äî 20 Å // Ïèñüìà â ÆÒÔ. � 1988.
� Ò. 14, âûï. 2. � Ñ. 171�176.
2. Ëàðèîíîâ Â. Ð., Ìèíòàèðîâ À. Ì., Ñìåêàëèí Ê. Å. è
äð. Êðèñòàëëèçàöèÿ è ëåãèðîâàíèå êâàíòîâî-ðàçìåðíûõ
AlGaAs-ñëîåâ // Òåç. äîêë. V Âñåñîþç. êîíô. ïî ôèçè-
÷åñêèì ïðîöåññàì â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ãåòåðîñòðóê-
òóðàõ.� Êàëóãà. � 1990. � Ò. 2. � Ñ. 25�26.
3. ßêóøåâà Í. À., ×èêè÷åâ Ñ. È. Ðàñòâîðèìîñòü àðñå-
íèäà ãàëëèÿ â âèñìóò-ãàëëèåâûõ ðàñïëàâàõ // Èçâ. ÀÍ
ÑÑÑÐ. Íåîðãàíè÷åñêèå ìàòåðèàëû. � 1987. � Ò. 23, ¹ 10.
� Ñ. 1607�1609.
4. Êåéñè Õ., Ïàíèø Ì. Ëàçåðû íà ãåòåðîñòðóêòóðàõ.
Ò. 2.� Ì.: Ìèð, 1981.
5. Êóíèöûí À. Å., Íîâèêîâ Ñ. Â., ×àëäûøåâ Â. Â. è äð.
Àíàëèç ñïåêòðîâ ôîòîëþìèíåñöåíöèè ñëîåâ GaAs, âû-
ðàùåííûõ èç Ga�Bi ðàñòâîðîâ�ðàñïëàâîâ // ÔÒÏ.�
1995.� Ò. 29, âûï. 11.� Ñ. 2088�2091.
6. Øèøèÿíó Ô. Ñ. Äèôôóçèÿ è äåãðàäàöèÿ â ïîëó-
ïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëàõ è ïðèáîðàõ.� Êèøèíåâ:
Øòèèíöà, 1978.
7. Áðóäíûé Â. Í., Áóäíèöêèé Ä. Ë., Êîëèí Í. Ã. è äð.
Âëèÿíèå ýëåêòðîííîãî îáëó÷åíèÿ íà ýëåêòðîôèçè÷åñ-
êèå ñâîéñòâà è ôîòîëþìèíåñöåíöèþ ÿäåðíî-ëåãèðîâàí-
íîãî àðñåíèäà ãàëëèÿ // Èçâ. âóçîâ. Ôèçèêà.� 1991.�
¹ 4.� Ñ. 45�51.
Êîä
ñåíñîðà
Íîìè-
íàëüíûé
òîê,
ìÀ
Ìèíè-
ìàëüíàÿ
íîðìèðî-
âàííàÿ
ìàãíèòíàÿ
÷óâñòâè-
òåëüíîñòü,
Â/À⋅Ò
Ìèíè-
ìàëüíîå
âõîäíîå
ñîïðîòèâ-
ëåíèå,
Îì
UX,
%/K
Òåìïåðà-
òóðíûé
êîýôôè-
öèåíò
U0,
ìêÂ/Ê
ÄÕÂ-03 10 35 250 0,008 0,1
ÄÕÂ-05 10 110 520 0,01 0,1
ÄÕÂ-08 10 150 680 0,02 0,2
Òàáëèöà 2
Ïàðàìåòðû äàò÷èêîâ Õîëëà íà îñíîâå ïîëó÷åííûõ
ñòðóêòóð
Ðèñ. 4. Îòêëîíåíèå Râõ îò ñðåäíåãî çíà÷åíèÿ äëÿ
ñòðóêòóð, ïîëó÷åííûõ ðàçëè÷íûìè ìåòîäàìè
ÃÔÝ ÌÎÑ
ÆÔÝ <Ga>
ÆÔÝ <Bi>Î
òê
ëî
íå
íè
å
âõ
îä
íî
ãî
ñ
îï
îð
îò
èâ
ëå
íè
ÿ,
%
17,7
15,8
8,8
5,7
20
16
12
8
4
0
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70772 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:59:10Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. 2014-11-12T07:56:00Z 2014-11-12T07:56:00Z 2002 Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 537.311.8:621.315.592 Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ. Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi Gauges of a hall on the basis of structures GaAs received low temperatures LPE from Bi-melts Article published earlier |
| spellingShingle | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. Сенсоэлектроника |
| title | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_alt | Gauges of a hall on the basis of structures GaAs received low temperatures LPE from Bi-melts |
| title_full | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_fullStr | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_full_unstemmed | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_short | Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi |
| title_sort | датчики холла на основе структур gaas, полученных низкотемпературной жфэ из расплавов bi |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT krukovskiisi datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT zaverbnyiir datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT mryhinia datčikihollanaosnovestrukturgaaspolučennyhnizkotemperaturnoižféizrasplavovbi AT vakivnm gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT krukovskiisi gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT zaverbnyiir gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts AT mryhinia gaugesofahallonthebasisofstructuresgaasreceivedlowtemperatureslpefrombimelts |