Зображення обкладинки

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi

Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2002
Автори:	Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Мрыхин, И.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:	Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70772
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
за авторством: Карапетьян, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2008)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
за авторством: Катаев, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
за авторством: Клым, Г.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
за авторством: Кутова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2018)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)

Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами
за авторством: Лепих, Я.И.
Опубліковано: (2005)

Электротепловой элемент сенсоров газа
за авторством: Лепих, Я.И.
Опубліковано: (2002)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)

Датчик давления с тензочувствительным преобразователем на поверхностных акустических волнах
за авторством: Лепих, Я.И.
Опубліковано: (2004)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Датчик скорости газового потока
за авторством: Годованюк, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)

Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
за авторством: Дружинін, А.О., та інші
Опубліковано: (2019)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
за авторством: Малкин, Э.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование функций преобразования и чувствительности радиоизмерительного преобразователя давления
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2007)