Диодные реакторные системы микротравления
Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70773 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных реакторов установок микротравления с малым энерговкладом.
The development low-power intensive plasma technological equipment is maid on the basis of discharges with combined direct and alternating electrical and magnetic fields. The results of parameter investigations of high-frequency capacitive discharge and development of diode-reactors of the microetching devices with a low-energy deposition are adduced.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |