Диодные реакторные системы микротравления
Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70773 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70773 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Фареник, В.И. 2014-11-12T07:57:23Z 2014-11-12T07:57:23Z 2002 Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70773 533.915;539.23 Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных реакторов установок микротравления с малым энерговкладом. The development low-power intensive plasma technological equipment is maid on the basis of discharges with combined direct and alternating electrical and magnetic fields. The results of parameter investigations of high-frequency capacitive discharge and development of diode-reactors of the microetching devices with a low-energy deposition are adduced. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Диодные реакторные системы микротравления Diode-reactor systems of a microetching Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Диодные реакторные системы микротравления |
| spellingShingle |
Диодные реакторные системы микротравления Фареник, В.И. Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| title_short |
Диодные реакторные системы микротравления |
| title_full |
Диодные реакторные системы микротравления |
| title_fullStr |
Диодные реакторные системы микротравления |
| title_full_unstemmed |
Диодные реакторные системы микротравления |
| title_sort |
диодные реакторные системы микротравления |
| author |
Фареник, В.И. |
| author_facet |
Фареник, В.И. |
| topic |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| topic_facet |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Diode-reactor systems of a microetching |
| description |
Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных реакторов установок микротравления с малым энерговкладом.
The development low-power intensive plasma technological equipment is maid on the basis of discharges with combined direct and alternating electrical and magnetic fields. The results of parameter investigations of high-frequency capacitive discharge and development of diode-reactors of the microetching devices with a low-energy deposition are adduced.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70773 |
| citation_txt |
Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT farenikvi diodnyereaktornyesistemymikrotravleniâ AT farenikvi diodereactorsystemsofamicroetching |
| first_indexed |
2025-12-07T18:10:56Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:10:56Z |
| _version_ |
1850874063178694656 |