Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт

Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек. FLOTOX memory...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2002
Main Authors: Сидоренко, В.П., Сидорчук, В.Н., Забродина, О.Н., Николаенко, Ю.Е.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70776
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт / В.П. Сидоренко, В.Н. Сидорчук, О.Н. Забродина, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70776
record_format dspace
spelling Сидоренко, В.П.
Сидорчук, В.Н.
Забродина, О.Н.
Николаенко, Ю.Е.
2014-11-12T08:04:49Z
2014-11-12T08:04:49Z
2002
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт / В.П. Сидоренко, В.Н. Сидорчук, О.Н. Забродина, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70776
621.38
Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек.
FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
Тhe FLOTOX cell nonvolatile memory is base of smart cards LSI
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
spellingShingle Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
Сидоренко, В.П.
Сидорчук, В.Н.
Забродина, О.Н.
Николаенко, Ю.Е.
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
title_short Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
title_full Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
title_fullStr Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
title_full_unstemmed Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
title_sort энергонезависимая память на элементах flotox для бис электронных карт
author Сидоренко, В.П.
Сидорчук, В.Н.
Забродина, О.Н.
Николаенко, Ю.Е.
author_facet Сидоренко, В.П.
Сидорчук, В.Н.
Забродина, О.Н.
Николаенко, Ю.Е.
topic Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
topic_facet Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
publishDate 2002
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Тhe FLOTOX cell nonvolatile memory is base of smart cards LSI
description Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек. FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70776
citation_txt Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт / В.П. Сидоренко, В.Н. Сидорчук, О.Н. Забродина, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sidorenkovp énergonezavisimaâpamâtʹnaélementahflotoxdlâbisélektronnyhkart
AT sidorčukvn énergonezavisimaâpamâtʹnaélementahflotoxdlâbisélektronnyhkart
AT zabrodinaon énergonezavisimaâpamâtʹnaélementahflotoxdlâbisélektronnyhkart
AT nikolaenkoûe énergonezavisimaâpamâtʹnaélementahflotoxdlâbisélektronnyhkart
AT sidorenkovp theflotoxcellnonvolatilememoryisbaseofsmartcardslsi
AT sidorčukvn theflotoxcellnonvolatilememoryisbaseofsmartcardslsi
AT zabrodinaon theflotoxcellnonvolatilememoryisbaseofsmartcardslsi
AT nikolaenkoûe theflotoxcellnonvolatilememoryisbaseofsmartcardslsi
first_indexed 2025-12-07T18:19:21Z
last_indexed 2025-12-07T18:19:21Z
_version_ 1850874592711671808