Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |