Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2002
Main Authors: Касимов, Ф.Д., Лютфалибекова, А.Э.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862727941179310080
author Касимов, Ф.Д.
Лютфалибекова, А.Э.
author_facet Касимов, Ф.Д.
Лютфалибекова, А.Э.
citation_txt Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.
first_indexed 2025-12-07T19:05:25Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70781
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:05:25Z
publishDate 2002
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Касимов, Ф.Д.
Лютфалибекова, А.Э.
2014-11-13T06:05:22Z
2014-11-13T06:05:22Z
2002
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781
621.315.592
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Электронная аппаратура: исследования, разработки
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Article
published earlier
spellingShingle Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Касимов, Ф.Д.
Лютфалибекова, А.Э.
Электронная аппаратура: исследования, разработки
title Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
title_full Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
title_fullStr Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
title_full_unstemmed Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
title_short Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
title_sort влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
topic Электронная аппаратура: исследования, разработки
topic_facet Электронная аппаратура: исследования, разработки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781
work_keys_str_mv AT kasimovfd vliânieγizlučeniânatokoperenosvarsenidgallievompolevomtranzistore
AT lûtfalibekovaaé vliânieγizlučeniânatokoperenosvarsenidgallievompolevomtranzistore