Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе - Касимов, Ф.Д.; Лютфалибекова, А.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.