Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Authors: Касимов, Ф.Д., Лютфалибекова, А.Э.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Электронная аппаратура: исследования, разработки
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке....