Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70789 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. 2014-11-13T06:16:53Z 2014-11-13T06:16:53Z 2002 Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 621.382.002 Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| spellingShingle |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. Технология производства |
| title_short |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_fullStr |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full_unstemmed |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_sort |
косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| author |
Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| author_facet |
Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| topic |
Технология производства |
| topic_facet |
Технология производства |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 |
| citation_txt |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT iskenderzadeza kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT kasimovfd kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT ismailovasa kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem |
| first_indexed |
2025-12-07T16:22:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:22:42Z |
| _version_ |
1850867253453520896 |