Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862694497992835072 |
|---|---|
| author | Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| author_facet | Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| citation_txt | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:22:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70789 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:22:42Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. 2014-11-13T06:16:53Z 2014-11-13T06:16:53Z 2002 Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 621.382.002 Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Article published earlier |
| spellingShingle | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. Технология производства |
| title | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_fullStr | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full_unstemmed | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_short | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_sort | косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789 |
| work_keys_str_mv | AT iskenderzadeza kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT kasimovfd kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT ismailovasa kosvennyilazernyinagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem |