Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Authors: Искендер-заде, З.А., Касимов, Ф.Д., Исмайлова, С.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Технология производства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70789
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....