Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов

На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов с высоким значением тепловой постоянной. Отработан технологический процесс...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2002
Автори: Шпотюк, О.И., Гадзаман, И.В., Охримович, Р.В., Вакив, Н.М., Осечкин, С.И., Цмоць, В.М., Брунец, И.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70793
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов / О.И. Шпотюк, И.В. Гадзаман, Р.В. Охримович, Н.М. Вакив, С.И. Осечкин, В.М. Цмоць, И.М. Брунец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 55-57. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70793
record_format dspace
spelling Шпотюк, О.И.
Гадзаман, И.В.
Охримович, Р.В.
Вакив, Н.М.
Осечкин, С.И.
Цмоць, В.М.
Брунец, И.М.
2014-11-13T06:24:13Z
2014-11-13T06:24:13Z
2002
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов / О.И. Шпотюк, И.В. Гадзаман, Р.В. Охримович, Н.М. Вакив, С.И. Осечкин, В.М. Цмоць, И.М. Брунец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 55-57. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70793
621.316.825
На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов с высоким значением тепловой постоянной. Отработан технологический процесс получения толстых плёнок, изучен их фазовый состав, электрические свойства и стабильность. Полученные пленки характеризуются хорошей морфологией структуры и высокой плотностью. Исследовано влияние толщины слоя на стабильность электрических параметров.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
spellingShingle Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
Шпотюк, О.И.
Гадзаман, И.В.
Охримович, Р.В.
Вакив, Н.М.
Осечкин, С.И.
Цмоць, В.М.
Брунец, И.М.
Материалы электроники
title_short Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
title_full Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
title_fullStr Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
title_full_unstemmed Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
title_sort использование керамики на основе твердых растворов (ni, co, mn, cu)₃o₄для толстопленочных терморезисторов
author Шпотюк, О.И.
Гадзаман, И.В.
Охримович, Р.В.
Вакив, Н.М.
Осечкин, С.И.
Цмоць, В.М.
Брунец, И.М.
author_facet Шпотюк, О.И.
Гадзаман, И.В.
Охримович, Р.В.
Вакив, Н.М.
Осечкин, С.И.
Цмоць, В.М.
Брунец, И.М.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2002
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
description На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов с высоким значением тепловой постоянной. Отработан технологический процесс получения толстых плёнок, изучен их фазовый состав, электрические свойства и стабильность. Полученные пленки характеризуются хорошей морфологией структуры и высокой плотностью. Исследовано влияние толщины слоя на стабильность электрических параметров.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70793
citation_txt Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов / О.И. Шпотюк, И.В. Гадзаман, Р.В. Охримович, Н.М. Вакив, С.И. Осечкин, В.М. Цмоць, И.М. Брунец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 55-57. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT špotûkoi ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT gadzamaniv ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT ohrimovičrv ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT vakivnm ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT osečkinsi ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT cmocʹvm ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
AT brunecim ispolʹzovaniekeramikinaosnovetverdyhrastvorovnicomncu3o4dlâtolstoplenočnyhtermorezistorov
first_indexed 2025-12-07T13:33:30Z
last_indexed 2025-12-07T13:33:30Z
_version_ 1850856607810846720