Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автори: Ажажа, В.М., Ковтун, Г.П., Неклюдов, И.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов. In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases.