Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70796 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-707962025-02-09T12:31:42Z Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники Comprehensive approach to production of high-purity materials for microelectronics Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. Материалы для микроэлектроники Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов. In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases. 2002 Article Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 621.3:548.55 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов. |
| format |
Article |
| author |
Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. |
| author_facet |
Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. |
| author_sort |
Ажажа, В.М. |
| title |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_short |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_full |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_fullStr |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_full_unstemmed |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_sort |
комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 |
| citation_txt |
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT ažažavm kompleksnyjpodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT kovtungp kompleksnyjpodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT neklûdovim kompleksnyjpodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT ažažavm comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics AT kovtungp comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics AT neklûdovim comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics |
| first_indexed |
2025-11-26T00:06:50Z |
| last_indexed |
2025-11-26T00:06:50Z |
| _version_ |
1849809290422910976 |