Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862565843524648960 |
|---|---|
| author | Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. |
| author_facet | Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. |
| citation_txt | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов.
In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:06:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70796 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T00:06:50Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. 2014-11-13T19:22:22Z 2014-11-13T19:22:22Z 2002 Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 621.3:548.55 Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов. In work results of numerical modelling electrophysical properties GaAs are given on the content of residual impurity, physical methods of refinement for reception high purity Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr and other metals are stated. Results of researches on stability quartz crucibles with coverings in GaAs and Ga melts and results of development getter materials are given on the basis of alloys Zr for clearing technological gases. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники Comprehensive approach to production of high-purity materials for microelectronics Article published earlier |
| spellingShingle | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники Ажажа, В.М. Ковтун, Г.П. Неклюдов, И.М. Материалы для микроэлектроники |
| title | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_alt | Comprehensive approach to production of high-purity materials for microelectronics |
| title_full | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_fullStr | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_full_unstemmed | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_short | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| title_sort | комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 |
| work_keys_str_mv | AT ažažavm kompleksnyipodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT kovtungp kompleksnyipodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT neklûdovim kompleksnyipodhodkpolučeniûvysokočistyhmaterialovdlâmikroélektroniki AT ažažavm comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics AT kovtungp comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics AT neklûdovim comprehensiveapproachtoproductionofhighpuritymaterialsformicroelectronics |