Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Authors: Ажажа, В.М., Ковтун, Г.П., Неклюдов, И.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Материалы для микроэлектроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей...