Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | Ажажа, В.М., Ковтун, Г.П., Неклюдов, И.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70796 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Получение и применение некоторых высокочистых редких металлов
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Новый подход к получению микропористых материалов и покрытий электронно-лучевым испарением неорганических веществ
von: Мовчан, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Мовчан, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Роль высокочистых металлов в создании новых материалов для элементов конструкций АЭС
von: Пилипенко, Н.Н.
Veröffentlicht: (2008)
von: Пилипенко, Н.Н.
Veröffentlicht: (2008)
Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Комплексный подход к обеспечению высокого качества изготовления электродов
von: Гнатенко, М.Ф.
Veröffentlicht: (2002)
von: Гнатенко, М.Ф.
Veröffentlicht: (2002)
Комплексный подход к оценке состояния экологических объектов Крыма
von: Кузнецова, Е.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кузнецова, Е.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Комплексный подход к дизайну антагонистов тромбоксановых А2 рецепторов
von: Христова, Т.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Христова, Т.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение высокочистых металлов для производства низкофоновых сцинтилляционных детекторов
von: Щербань, А.П.
Veröffentlicht: (2011)
von: Щербань, А.П.
Veröffentlicht: (2011)
Комплексный подход к управлению территориями на основе регионального маркетинга
von: Чернов, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Чернов, В.В.
Veröffentlicht: (2011)
Комплексный подход к дешифрованию снимков по данным космического мониторинга
von: Бутенко, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Бутенко, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Диагностические системы теплового контроля: комплексный подход
von: Абрамова, Е.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абрамова, Е.В.
Veröffentlicht: (2011)
Комплексный подход к элиминации кишечных вирусов из воды. Проспективное исследование
von: Малышев, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малышев, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Комплексный подход в лечении пояснично-крестцового радикулита
von: Бончук, И.И.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бончук, И.И.
Veröffentlicht: (2012)
Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Ähnliche Einträge
-
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)