Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служит...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70797 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862740354829123584 |
|---|---|
| author | Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_facet | Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. |
| citation_txt | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда.
The opportunity of control (management) of parameters of arsenide gallium epilayers with the help of radiation handling by fast neutrons is shown. In technological aspect the irradiation by neutrons as a control facility properties of arsenide gallium epilayers is offered to be divided into two aspects depending on a doze of an irradiation. The first aspect — small dozes of an irradiation up to 1·10¹⁵sm⁻² — the heightening of mobility of charge carriers and increase of speed can serve by a means of improvement of properties of stratums. The second aspect — doze of an irradiation more than 5·10¹⁵sm⁻²— decreases concentration and mobility of charge carriers.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:14:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70797 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:14:11Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. 2014-11-13T19:27:09Z 2014-11-13T19:27:09Z 2002 Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70797 621.37/39.193:539.216:539.211 Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда. The opportunity of control (management) of parameters of arsenide gallium epilayers with the help of radiation handling by fast neutrons is shown. In technological aspect the irradiation by neutrons as a control facility properties of arsenide gallium epilayers is offered to be divided into two aspects depending on a doze of an irradiation. The first aspect — small dozes of an irradiation up to 1·10¹⁵sm⁻² — the heightening of mobility of charge carriers and increase of speed can serve by a means of improvement of properties of stratums. The second aspect — doze of an irradiation more than 5·10¹⁵sm⁻²— decreases concentration and mobility of charge carriers. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия Influence of an irradiation by fast neutrons on properties of the epitaxial arsenide gallium Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. Материалы для микроэлектроники |
| title | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_alt | Influence of an irradiation by fast neutrons on properties of the epitaxial arsenide gallium |
| title_full | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_fullStr | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_full_unstemmed | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_short | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_sort | влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70797 |
| work_keys_str_mv | AT zavadskiiva vliânieoblučeniâbystrymineitronaminaépitaksialʹnyiarsenidgalliâ AT lenkovsv vliânieoblučeniâbystrymineitronaminaépitaksialʹnyiarsenidgalliâ AT lukomskiidv vliânieoblučeniâbystrymineitronaminaépitaksialʹnyiarsenidgalliâ AT mokrickiiva vliânieoblučeniâbystrymineitronaminaépitaksialʹnyiarsenidgalliâ AT zavadskiiva influenceofanirradiationbyfastneutronsonpropertiesoftheepitaxialarsenidegallium AT lenkovsv influenceofanirradiationbyfastneutronsonpropertiesoftheepitaxialarsenidegallium AT lukomskiidv influenceofanirradiationbyfastneutronsonpropertiesoftheepitaxialarsenidegallium AT mokrickiiva influenceofanirradiationbyfastneutronsonpropertiesoftheepitaxialarsenidegallium |