Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Балицкая, В.А., Вакив, Н.М., Шпотюк, О.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70798
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС / В.А. Балицкая, Н.М. Вакив, О.И. Шпотюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Обсуждаются экспериментальные реузльтаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄. Впервые установлено, что, независимо от химического состава и технологических особенностей приготовления исследуемых керамических образцов, процессы их термостарения описываются расширенной экспоненциальной релаксационной функцией ДеБаста—Джиларда или Уильямса—Уоттса. Experimental results on thermally induced degradation tests carrier out at the relatively low ageing temperatures in NTC ceramic thermistors based on mixed transition-metal manganites (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄ are discussed. It is first established that, despite of chemical composition and technological features of the investigated ceramic samples, the stretched-exponential relaxation function of DeBast—Gillard or Williams—Watts is the unique analytical expression describing the kinetics of the observed degradation processes.