Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Функциональная микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении. Surface-barrier structures were used as the photodetectors with injection amplification. The spectrum of photosensitivity of the diodes on the base of compensated by gold silicon were investgated. The contribution of different energy levels at the injection amplification is discussed. The most amplification had on the region of waves lengths λ=1,25…1,75 mm and may reach 10 and more time. Injection amplification in this case is connected with increase of the bipolarity drift mobility of the current charges under the illumination.