Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится дл...
Saved in:
| Date: | 2002 |
|---|---|
| Main Authors: | Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2002) -
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2004) -
Двухспектральный фотоприемник
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005) -
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
by: Болгов, С.С.
Published: (2001) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)