Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автори: Курак, В.В., Цыбуленко, В.В., Агбомассу, В.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Энергетическая микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и антиотражающих покрытий. Показана целесообразность изучения антиотражающих покрытий для планарных ФЭП на основе гетероструктур AlGaAs—GaAs. В качестве основного направления повышения эффективности таких ФЭП предложено использовать квантовые точки узкозонных материалов, размещенные в матрице широкозонного материала вблизи границы p—n-перехода. In paper the new technique for creation of buttend silicon solar cells by ZRGT method is proposed. In this technique the temperature gradient is created by light heating using "Uran" installation. The efficiency of solar cells produced by such method is about 11 % without usage of illuminating and antireflection covers. The expediency of study of antireflection covers for planar solar cells based on AlGaAs-GaAs heterostructure is shown. As basic direction for AlGaAs-GaAs solar cells efficiency increase the usage of narrow-bandgap quantum dots placed in a matrix of wide-bandgap material close to p—n-junction is proposed.