Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и анти...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и антиотражающих покрытий. Показана целесообразность изучения антиотражающих покрытий для планарных ФЭП на основе гетероструктур AlGaAs—GaAs. В качестве основного направления повышения эффективности таких ФЭП предложено использовать квантовые точки узкозонных материалов, размещенные в матрице широкозонного материала вблизи границы p—n-перехода. |
|---|