Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и анти...
Saved in:
| Date: | 2002 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |