Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автор: Круковский, С.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Энергетическая микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.