Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859943464185102336 |
|---|---|
| author | Круковский, С.И. |
| author_facet | Круковский, С.И. |
| citation_txt | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs.
Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:12:13Z |
| format | Article |
| fulltext |
��
���������
����
����� ���������
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
��������������
��������
�
�
�� !�� �����
"����������������������� ��
� ��
�
#$%�����&'
��$�� � (
��)
��������
�����
��
��
��
*
��
���� � +,����� -��.��&���
/������������ ������
��
�� 0(����1
2&34567� 89:8;<=8>?@;6>ABC 6<5< :4
("'D+E(%-"E�+EFGH"IJ-GE�%+"EI��K4L=��MAK4L=
DHG�NG�("OJP-"Q�RDG�J(%GG
����������� ������������� ��� !���
"#$�����%����$�"�$������""� &$"���#"�
�����'�#��������(�)�����$�"���"��%*
����$���!����%�����+�#�������+�&����
""*�(���"��%�
%��S���
������T�����
�K4L=��L6K4L=��MAK4L=
����,/����������������.�����
���,�T��U�����
�V&
�
�������V�������������/�
.�T�����.
������
��
W!���X �%��Y����,�����.��
��.
��T��������J�I���S��&
����������
������
�V���
�V���������Z
��T���
�
U����T����
V�����
�
�
��V�
���� �������
�������
V� �
��W!���X �'
����T��
���SV
����T�����
���&
��.������
��
/
����V����������Y
�
�U�/������
&
��
�
�#NOR)����
�
����T��/��.��
��
��UU
�
��&
������ �� ��
���
���[
����
V�������S��,Z
��W�X
I����/
�����
V�����S��,Z
������V����
�����J�I����/&
�
������������
�������.��
���
��
�
��,�T�����&
���,&�
���������
V���
���������V���
�����
����
&
V�����#! �\)]!�!\��V^��
��TZ��W_X
G���������
�����
���U
/
.��
������V���������&
���K4L=����
������T���������V�����
/��������T&
V
�
����
�/�V��,�TV
����V����V
�#
�V���
�������&
�����
�)������.���T��NOR���
�����������V����&
����`��a\��bc�W�X����
�/�����.�������V����
����&
/���������[����������V��,Z
�,�U�������
������&
���
����
V���������
��
�
��,�T������� �D�
����V
�V��,Z��
��
���������
����!�!\�V^���������Y��&
���,���[�������TV������V�����
Y����
�������T�
���
����� �D�����,�T��/��.��
��
���������
�
����&
�
Y����
������
���T������
��
�
��,�T��������K4L=�
����.���T��NOR���
����,/����
�V�
�V���
��� �
��
�����
������������
�a�������������TZ����/��&
.��
�������.���T����
���
�����
����������,
�����&
�/�V��,�TV
����V����V
�I����/
�����
V���/�
���
�������
�
���������
���UU�
���
�V���
��� ����&
�����
��
�������
��V����
�����J�I�
I����������S������������T�
���������
����
��
&
�
��,�T��������K4L=��MA'K4!^'L=�#'d���`a��_)����&
��.���T��V�����V�NOR���
�����������V�����������a
���bc�
/����������� ���
�����
������� ���������&
V�����ef�
�L6 �G�������
�
���������
����������
� �
���������S���������
��
����,/����
�V��������������&
��V�T�� ���������
����K4L=aMAK4L=aL6K4L=����
U�������S��/��������������.��������
-���[
���
�� ��
��
�
��,�T�� ������ K4L=�� MAK4L=
���[���������,�V�����V�NOR�����������
���� ��
/��&
���,�TV� ���
����V� ��
������� ���Z���� �� �
�� � H����&
���� /�/��� ���������� !� VV � (�
�����
/��
�� ������ K4L=
������
���,�
/� ���
��T�����������MAK4L=�a�
/�
��
�&
�T�� ���������&����������� ��
������T��
����S
�V�
���V
�
�V � I�
�.������ �����Y
�
����,/������� ����&
/��
���[
�� K4L=� V��
� JFgD&� � D����Y
� ST�
��
���
�����T� �� ���������
� #!��)� �� ��/��
�����
��
!�h���������������
���
�#!!�) �����U��V
�����
��Z
��T
����,/������� ���
�� V��
� F�ii�iii\��
��
�� V��
G-��������V
�
��ii�iiii�
�
����S
��ii�i
H������T&�������T� �������
���,��� ��� ��Y
��
�,
��V���������
����V�� � �V� ��
/��
�����������������&
���
����������������\��bc��
�!���. �-���[
���
�������
������
���,���
�����������V�����������a���bc�����
�&
����,�
�
�����
/��
�������������!��a!��bcjV
� ����[
&
�����
��
�
��,�T�������������
���,��������������a!��V
V
(���������
��
� ����
Y����,� ���
������ ��������&
�
�,�����UU�
���k����
����
���������
����
��
����
�����
�����������&
����������
����S
�V�
����V
�
�V�������
���U
/
.��&
�����������������K4L=�
� MAK4L=�ST�
���������T
�������
��
����
V����� �I�����������
��������T&
�������T� ���
��
�
��
����
�����
�,����,
�����
�/�&
V��,�TV����V����V�a�ef �(���������
��
����S
��
/&
V������,�����������������������__��� l �I�����������&
�
��
����
V�������������T&�������T� ���
����
��&
���
�,��������V�����
����S
�V�
����V
�
�V �I� ��&
�
��T������������
���������
�����V
�
����������&
������!��
��������� l���������������&����������
��
�
a����!���� l �(���������
��
����S
�������������� ��&
�
��
/V������,������������__��� l���������������
��
�
a������������!���� l
"��S������
���
��
��ef�
�L6�������
���U
/
.��&
�����������������K4L=�
�MAK4L=������.���T��NOR�
���S��Y��������T�����
������T������������
��
-���
� �!���
�����T�/��
�
V���
�
���������
���
�������
��T��
�����
��
�
��,�T��������K4L=�
MA'K4!^'L=���T��[���T��
/����������� ���
��
�
�&
�
�����
������T��
����S
�V�
����V
�
�V �(�
��
�&
���
/� �
���
��� ������
��
����S
�� �� �������T&���&
����T� ���
��
�
��
��#
�
�T��-�
�.)��������Y������
�V��,Z��
�V�
���������
����
�����������
��
�
&
��,�T������� �D�
�
���������
�
����S
��m�������� l
���� ���
��T��
�m���!���� l�����
��
��T��������&
���&�������������
����
��
�����
���
���������
&
V���
���
��
�
��,�T��������
/�/&���,&�
� ���
���Y�
����
�����������
��
���������
����
���������S��&
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
�!
���������
����
����� ���������
�����������
��
�
��,�T��������K4L=�
�MAK4L=���
�������V����V���
�����
�
����S
�V�
����V
�
&
�V�
�
����������� ���
�����
�
�
��
��#
�
�T��.�0�1)
D�
�����
Y��
�
����S
�V�����������T��
�
�
.��&
�� /��.��
��2
�#ef)� �� ���������� ���
��
�
��
�
���
����
��
�����
���
���������
V���
�������K4L=
�MAK4L= �D�
�����
.��
�
���������
����V
�
�
/��.��
��2
�#ef)���[����������V��,Z�������������&
���
���������
.�TV�/��.��
�V�2
�#ef)�����������
����.���T��
/����������&�������������
������T�
���,
��
����S
�V
%���������V��
�,��.���
�����
���
���������
V���
����������MAK4L=����
����
����
�V��,Z
��/��.��
&
���
����S
������������
���������V
�K4L= �D�&�
�
&
V�V���������UU�
��V�Y���ST�,��S���������
�
���/&
�
.����
���������
���U����T����
V�������
��
�
���
����
�
���/�
.�����UU�
�
�����,���/�
V����&
���
��
����S
����U����TV
���
V���V
������������
���
��
�
��
�
-���
� �����
�����T�/��
�
V���
�����
Y����
���
���������������K4L=�
�MAK4L=���T��[���T��NOR
/����������� ���
��
�
��
�����
������T��ef�
�L6
%������
�� /��.��
�� ����
Y����
� �� ������ K4L=�
MAK4L=��
/V�����T����
�����(�
�\�(�#
�
�T��0�
�1)�
��
�/T������.�����
���[������������
.������
�
����
������K4L=����
�
�a����S�����a�����MAK4L= �R��
V�Y�����
�����,�������,��S��UU�
�
�����0�.
��
�1
��
��
�
��,�T�����������U����T����
V����
%������
����
������T����/��,����������Z
V
����TV
����������V����
�����
��
����S
�V�
����&
V
�
�V���
��
�
��,�T��������K4L=���T��[���T�
NOR�����V���������V��
���/����`��a\��b%�W�X�
��
�/T������.�������
����
/V����
�����
���U
/
&
.��
������V����������������� �"���
����.
��
�&
����
��
���������
V���
�����
��
�
��,�T�������
K4L=������.���T����
��
/
����V��������������
&
����������������V��,Z
��
���������
��
����S
��a
������_���� l� #��
� `��a\��b%)� ��� ������ �� l� ���
������� �T��[���T�� ��
� ���a���b%�� .��� V�Y��
�Sn���
�,��V��,Z��
�V�
��
.��������
V����������&
���[
������
��
�
��,�T���������
���
Y��
���V&
�������T���
��
�
(�
�
/������� W��� � � !_\X�� ������TV
�U����TV
��
V���V
���K4L=�
�MAK4L=�����������VU�����T�
��V�
��
�
������ �(��V�
����
��
/
����V����&
��������
��
�
�V�Y���/��
V��,���
����T���/�T��
���
����������Z��
� �(
�������V�Y�����������,
��S��
�
�������W���� �!��X�
�
�
��
����������/��
�
&
V���
���������
���T��[
���
��W\X
G����S
��
����V
�
��������������V����V
����&
�,��� ����T��������Z��
��
�K4L=�
�MAK4L=��� ��
/��������TV
��
������V�����V� ���
�V����
�����,
������T�������T�a���V�S������.����T��
�������
Y&
����,����
������/����������
��
�
��,�T����������
&
�����,��������S���������
����
����
V���T���������
(��������T�����
���
����S
��
V����/��.��
��!��\�Å
W`��� ��\X��.�����[�������������TZ����/��.��
��
�&
�������� �����
���� ���
��a�!�����W`��� ��_X �D�&
���V������������,����Y���
��
����S
���������Z��
�
���
�����T��
� �R����������Y�������/��,���T�
�&
��������
����������W�X��
����T���
����,/���V�����0V�&
.��T�����V��1����
�/��
��.���V�
�
V��,����
�����&
����
��
����S
����������K4L=���T��[���T��NOR�
V�Y������������,�!�!���V^� ���
V��S��/�V����
S�&
�����������TV�������������/T���
��
����S
�V�U���&
�T����
V����������������&����������
����������&
[��
��
���������
������
��
�
��,�T������ ���
��
����
�����/�
V�������
�����
�/�V��,�T�����V�����
�������Y����������������S���W���i��!�X�����
V����
&
�V�U�����V
��������T��
��������
��
/V����
�
%V�[��
�� ��.
�
�����
� �
��� ������
V���
����������������V��,Z
��
���������
��
����S
���
��������&��������������
Y����
Y��
��
���������
����TZ��
������
Y����
�������T�����
��������
�V���
���V���
�����
����V
�
�V�
�
����S
�V
���������� ���
��
�
��
��V�Y����Sn���
�,���V��.��
���V
�
���
V���
��������T�����
���!�����W`��� ���X�
����
���������Z��
�� ���
� �(���������
����
���
�
���
������
��
�
��,�T���������V��,Z������
������&
������������ �V��,Z������ ����������,� �����
���
�
��V�
����
�
����
.��
�����Z��
��K4L=�
�MAK4L=
H
� �� �P��
�
V���,������
Y����
������
��
�
��,�T�������
K4L=�#-��.��0)�
�MA'K4!^'L=�#3��1)����
���������
�L6�
�ef
������������ ���
��
�
��
�7
-��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6
(300 K)
(300 K)
(300 K)
(300 K)
(77 K)
(77 K) 3
5
5
4
3
2
1
(300 K)
4ef���� l
D
��
�
Y
��
��
,�
��
V
� j
I
]�
��� �����������!��������������������������������������������������������_
!��
!�_
$�
��
V
^�
H
� �! ��P��
�
V���,�
���������
�/����
�������
��T��
����
��
�
��,�T��������K4L=�#-��.��0)�
�MA'K4!^'L=�#3��1)���
���������
�L6�
�ef�#5ef)������������� ���
��
�
��
�7
-��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6
��� ������������!������������������������������������������������_
3
4
7
300 K
5
4
3
2
1
4ef���� l
!�!`
!�!�
!�!_
!�!�
��
���������
����
����� ���������
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
G/��Y���T���TZ��V����
/V���
��
��
/�������&
�T��
����
�/�V��,�T�����V�����������������������
K4L=�
�MAK4L=������������
S������������TV �%����&
�����V��
�,��.������U��V
�����
�����
���U
/
.��&
����������������V� ����
�/T���,���
��
��
�
� ��&
S�
���
�������T��
�������T�������
����.���
�V
�����������
�
�V��
����S���������T��/�V�[��
&
�V�
�������V����V���VTZ,�
��
� ���
� ��p����� ��&
S�
���
/�.��
����������S��VT����S������
���.��
�
U�����V
��������T��
/V����
����
� ��
��T����V&
��������������
����
��
� ��S�
���������������
.&
����
������ V���&���
����
��
�
� ��������� ��V��
��V��������,�T��
���������
�
I� ������
���V���K4L=aMAK4L=�������
���U
/
&
.��
������V���T�������MAK4L=����������������
�&
�
��V� ����
�/T���,���
Y�������Y��
�����/�
��&
[
����� ����� ���
���
/&/����/�
.
��������V�����
��Z���
�H�/�
���������V��������Z��
��� ������
�&
��V��� K4L=aMA6K4!^6L=� #'d��_)�
� MAqaMA6K4!^6L=
#'d��_)������������_���
���\�l���������������� ����
����
� ��
� �� ��
��
�� ST��� ���������� �������
�
���
���U
/
.��
������V������#����
Y����
�
�
��&
�������
����
�����)�������MA6K4!^6L=�#'d��_)����&
��.���T����������Y
���MAq7rB�
������Y
�������&
/��
���[� ��K4L= �pT����������������.������
&
.
��������V��������������������S������l �R������
&
�
.��
���
/V��
V������.����,��
/V����
���������&
� k����� ^� _l � ��
V� �S��/�V�� V����
.��
�� ��&
���Y��
�����/�
��[
���� ������
���V�����[������&
��������
����������
���U
/
.��
������V���T����&
���������������[
V�U�
����V����������
��������&
�
����
�/�V��,�� ��#ef)�
�
/��������� ��#L6)����&
V���������������&��������
"������V������������
�������V����
/V���� � � �
�/�
V�������
��
����S
����U����TV
���
V���V
�
�V��,Z��
������������
����Y���
��
��V�
���������&
Z��
�� ���
����
�������
����V
�
�����������&���&
��������/�����������
��,��UU�
�
������.
��
����&
���K4L=�
�MAK4L=������
������
���VT����
V����
sss
D��������T��
���������
����
�/��
��.���
�V�&
��
�������
�����
��
��
��T��
� ���
��T��������&
���&����������
����S
�V�
����V
�
�V���
�
�
����&
�
/��
�������K4L=�
�MAK4L=���
�����������V����&
�������a���b%���/�����������
��,�/��.��
��
��&
�������
����
���������������K4L=�m#� �)]!�!��V^�
#���� ()�
� ����
Y����
� m������ �V�jI]�� #\\� ()�� �� �
������MA'K4!^'L=�#'d���` ��_�)�a����������������/��&
.��
��m�]!�!��V^��#����()�
�m!!������V�jI]��#\\�()
R������/��,����V�Y����Sn���
�,� �����
���[
V����&
���
�V�
����S
���������Z��
��
�U����TV���
V�&
��V������������&���������� ���
��
�
��
�������
Y�
�V��,Z��
�V�
���������
�
��V�
����������S�� �&
����������
���
������V
�
���������Z��
�� ���
�
D���.���T����/��,���T�V� ���ST�,�
����,/����T
��
�����.��
���
��
�
��,�T������
��������U���&
��
�V�
����U�������S��/��������������.��������&
������.
�����V�������T�����.
���
��
/
���[
�
/��.��
�
G%D"+tP"IJ--uE�G%�"g-G(G
! (����,
����I �G ��H��
V���- ��
��T������/
����T�
�
�
����T����������� ���������
��� a� ��Z
���7�OJ-�
!i`�
� v;<;CA>� w �� q9;xy4z8;<4� { �� |}4A=8>� ~ �� |4<4}56� w
q9B@494C5;A� 4A}� @9;@B9C5B=� ;�� 29� 4A}� ef� };@B}� MA&f4=B}
=B35x;A}:xC;9� x;3@;:A}=� ��� czBxy;=6;<48� w;:9A46� ;�
qy>=5x= a�!iii a��;6 �_i��v�� a�q �\�\a\��
� �p��������I �J ��E�
��J �F ��N��
��p �F �
��� �'���&
�
/V���
��
�����
�/�V��,�T�����V�����������������������
K4L=�� �T��[���T�� Y
�
�U�/���� ��
��
�
��� ��(���
�
���S[��
�����U
/
� a�!i`\ a���i a�% ���a�_
_ �*U
V����I �p ��J
.��
��H �k �O
/
�&�
V
.��
�
�����T� Y
�
�U�/���� ��
��
�
a� ' 7� '�������
��
!i`�
� �(��
���,
��% �� ��H
S�
�" �I ��'�
����� �" �I
��
�&
�V������S��� ������Z��
�K4L=����L6K4L=�����
V����HOE
����/
�����������!&��*
�����,
������
�
��U �/�U�/
���&
����������
�� �� �! a����� a�"���� a�% �!�i
� � �
Z
���� O � % � �
UU�/
��
� �� �����
�� �� ����&
�������
��T��V����
�����
���
S���� a�(
Z
���7���
&
�����!i\`
\ �L66BA�� �2 ���;��w �� ��yB;9>�;��K4L=&;�5}B�5ACB9�4xB
=C4CB=� ��� �;6 � �C4CB� c;33:A a� !i`� a� �;6 � _��� v� _ a
q ��\ia�`!
` �%����,.��
��% �% ��+�S�����I �I �%���
���
��J�I�
%�����.�
a�' 7�'�������
���!i`_
i �'��������I �O ��P������
���+ �O �H��
�/�V��,�T�
���V���T���J�I������O�D a�!ii� a�� ��_ a�% ��!�a��i
!� �%�V������F �' ��(�
Z��S�� �F ��(���,
��I �D ������
I����
�����������
����
��Z�������������� �������
��� �&
������ ������ ����/����������S��V��S���
�����V����*ON a
!ii� a�� �_�����!� a�% �!!�!a!!��
���������
������������������
��� !"��������!�#��$�
%��$#����!&�$� �����#��
��#�&������'��$�����(��)�������
�*+,-�
./��00,�12
�����/�� ��3�.���$�4�5�
6�7�3�74
#8529�:;�<*-�=�,>0?>00;�@.3�29�:;�<*-�=�,>0?>00-
A?BCDE9�FEFGHIJKLMIDBFNMJ2IO
PPP2MIDBFNMJ2IO�FNMJFEFGHIJKDGC
�
���
���
������������
��������
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70804 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:12:13Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Круковский, С.И. 2014-11-13T19:40:50Z 2014-11-13T19:40:50Z 2002 Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 621.315.592 Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE Article published earlier |
| spellingShingle | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Круковский, С.И. Энергетическая микроэлектроника |
| title | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_alt | Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE |
| title_full | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_short | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_sort | комплексное легирование слоев gaas, ingaas при жидкофазной эпитаксии |
| topic | Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet | Энергетическая микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskiisi kompleksnoelegirovaniesloevgaasingaasprižidkofaznoiépitaksii AT krukovskiisi complexdopinglayersgaasandingaasobtainedbylpe |