Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2002
1. Verfasser: Круковский, С.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1859943464185102336
author Круковский, С.И.
author_facet Круковский, С.И.
citation_txt Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.
first_indexed 2025-12-07T16:12:13Z
format Article
fulltext �� ��������� ���� ����� ��������� ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� �������������� �������� � � �� !�� ����� "����������������������� �� � �� � #$%�����&' ��$�� � ( ��) �������� ����� �� �� �� * �� ���� � +,����� -��.��&��� /������������ ������ �� �� 0(����1 2&34567� 89:8;<=8>?@;6>ABC 6<5< :4 ("'D+E(%-"E�+EFGH"IJ-GE�%+"EI��K4L=��MAK4L= DHG�NG�("OJP-"Q�RDG�J(%GG ����������� ������������� ��� !��� "#$�����%����$�"�$������""� &$"���#"� �����'�#��������(�)�����$�"���"��%* ����$���!����%�����+�#�������+�&���� ""*�(���"��%� %��S��� ������T����� �K4L=��L6K4L=��MAK4L= ����,/����������������.����� ���,�T��U����� �V& � �������V�������������/� .�T�����. ������ �� W!���X �%��Y����,�����.�� ��. ��T��������J�I���S��& ���������� ������ �V��� �V���������Z ��T��� � U����T���� V����� � � ��V� ���� ������� ������� V� � ��W!���X �' ����T�� ���SV ����T����� ���& ��.������ �� / ����V����������Y � �U�/������ & �� � �#NOR)���� � ����T��/��.�� �� ��UU � ��& ������ �� �� ��� ���[ ���� V�������S��,Z ��W�X I����/ ����� V�����S��,Z ������V���� �����J�I����/& � ������������ �������.�� ��� �� � ��,�T�����& ���,&� ��������� V��� ���������V��� ����� ���� & V�����#! �\)]!�!\��V^�� ��TZ��W_X G��������� ����� ���U / .�� ������V���������& ���K4L=���� ������T���������V����� /��������T& V � ���� �/�V��,�TV ����V����V �# �V��� �������& ����� �)������.���T��NOR��� �����������V����& ����`��a\��bc�W�X���� �/�����.�������V���� ����& /���������[����������V��,Z �,�U������� ������& ��� ���� V��������� �� � ��,�T������� �D� ����V �V��,Z�� �� ��������� ����!�!\�V^���������Y��& ���,���[�������TV������V����� Y���� �������T� ��� ����� �D�����,�T��/��.�� �� ��������� � ����& � Y���� ������ ���T������ �� � ��,�T��������K4L=� ����.���T��NOR��� ����,/���� �V� �V��� ��� � �� ����� ������������ �a�������������TZ����/��& .�� �������.���T���� ��� ����� ����������, �����& �/�V��,�TV ����V����V �I����/ ����� V���/� ��� ������� � ��������� ���UU� ��� �V��� ��� ����& ����� �� ������� ��V���� �����J�I� I����������S������������T� ��������� ���� �� & � ��,�T��������K4L=��MA'K4!^'L=�#'d���`a��_)����& ��.���T��V�����V�NOR��� �����������V�����������a ���bc� /����������� ��� ����� ������� ���������& V�����ef� �L6 �G������� � ��������� ���������� � � ���������S��������� �� ����,/���� �V��������������& ��V�T�� ��������� ����K4L=aMAK4L=aL6K4L=���� U�������S��/��������������.�������� -���[ ��� �� �� �� � ��,�T�� ������ K4L=�� MAK4L= ���[���������,�V�����V�NOR����������� ���� �� /��& ���,�TV� ��� ����V� �� ������� ���Z���� �� � �� � H����& ���� /�/��� ���������� !� VV � (� ����� /�� �� ������ K4L= ������ ���,� /� ��� ��T�����������MAK4L=�a� /� �� �& �T�� ���������&����������� �� ������T�� ����S �V� ���V � �V � I� �.������ �����Y � ����,/������� ����& /�� ���[ �� K4L=� V�� � JFgD&� � D����Y � ST� �� ��� �����T� �� ��������� � #!��)� �� ��/�� ����� �� !�h��������������� ��� �#!!�) �����U��V ����� ��Z ��T ����,/������� ��� �� V�� � F�ii�iii\�� �� �� V�� G-��������V � ��ii�iiii� � ����S ��ii�i H������T&�������T� ������� ���,��� ��� ��Y �� �, ��V��������� ����V�� � �V� �� /�� �����������������& ��� ����������������\��bc�� �!���. �-���[ ��� ������� ������ ���,��� �����������V�����������a���bc����� �& ����,� � ����� /�� �������������!��a!��bcjV � ����[ & ����� �� � ��,�T������������� ���,��������������a!��V V (��������� �� � ���� Y����,� ��� ������ ��������& � �,�����UU� ���k���� ���� ��������� ���� �� ���� ����� �����������& ���������� ����S �V� ����V � �V������� ���U / .��& �����������������K4L=� � MAK4L=�ST� ���������T ������� �� ���� V����� �I����������� ��������T& �������T� ��� �� � �� ���� ����� �,����, ����� �/�& V��,�TV����V����V�a�ef �(��������� �� ����S �� /& V������,�����������������������__��� l �I�����������& � �� ���� V�������������T&�������T� ��� ���� ��& ��� �,��������V����� ����S �V� ����V � �V �I� ��& � ��T������������ ��������� �����V � ����������& ������!�� ��������� l���������������&���������� �� � a����!���� l �(��������� �� ����S �������������� ��& � �� /V������,������������__��� l��������������� �� � a������������!���� l "��S������ ��� �� ��ef� �L6������� ���U / .��& �����������������K4L=� �MAK4L=������.���T��NOR� ���S��Y��������T����� ������T������������ �� -��� � �!��� �����T�/�� � V��� � ��������� ��� ������� ��T�� ����� �� � ��,�T��������K4L=� MA'K4!^'L=���T��[���T�� /����������� ��� �� � �& � ����� ������T�� ����S �V� ����V � �V �(� �� �& ��� /� � ��� ��� ������ �� ����S �� �� �������T&���& ����T� ��� �� � �� ��# � �T��-� �.)��������Y������ �V��,Z�� �V� ��������� ���� ����������� �� � & ��,�T������� �D� � ��������� � ����S ��m�������� l ���� ��� ��T�� �m���!���� l����� �� ��T��������& ���&������������� ���� �� ����� ��� ��������� & V��� ��� �� � ��,�T�������� /�/&���,&� � ��� ���Y� ���� ����������� �� ��������� ���� ���������S��& ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� �! ��������� ���� ����� ��������� ����������� �� � ��,�T��������K4L=� �MAK4L=��� �������V����V��� ����� � ����S �V� ����V � & �V� � ����������� ��� ����� � � �� ��# � �T��.�0�1) D� ����� Y�� � ����S �V�����������T�� � � .��& �� /��.�� ��2 �#ef)� �� ���������� ��� �� � �� � ��� ���� �� ����� ��� ��������� V��� �������K4L= �MAK4L= �D� ����� .�� � ��������� ����V � � /��.�� ��2 �#ef)���[����������V��,Z�������������& ��� ��������� .�TV�/��.�� �V�2 �#ef)����������� ����.���T�� /����������&������������� ������T� ���, �� ����S �V %���������V�� �,��.��� ����� ��� ��������� V��� ����������MAK4L=���� ���� ���� �V��,Z ��/��.�� & ��� ����S ������������ ���������V �K4L= �D�&� � & V�V���������UU� ��V�Y���ST�,��S��������� � ���/& � .���� ��������� ���U����T���� V������� �� � ��� ���� � ���/� .�����UU� � �����,���/� V����& ��� �� ����S ����U����TV ��� V���V ������������ ��� �� � �� � -��� � ����� �����T�/�� � V��� ����� Y���� ��� ���������������K4L=� �MAK4L=���T��[���T��NOR /����������� ��� �� � �� ����� ������T��ef� �L6 %������ �� /��.�� �� ���� Y���� � �� ������ K4L=� MAK4L=�� /V�����T���� �����(� �\�(�# � �T��0� �1)� �� �/T������.����� ���[������������ .������ � ���� ������K4L=���� � �a����S�����a�����MAK4L= �R�� V�Y����� �����,�������,��S��UU� � �����0�. �� �1 �� �� � ��,�T�����������U����T���� V���� %������ ���� ������T����/��,����������Z V ����TV ����������V���� ����� �� ����S �V� ����& V � �V��� �� � ��,�T��������K4L=���T��[���T� NOR�����V���������V�� ���/����`��a\��b%�W�X� �� �/T������.������� ���� /V���� ����� ���U / & .�� ������V����������������� �"��� ����. �� �& ���� �� ��������� V��� ����� �� � ��,�T������� K4L=������.���T���� �� / ����V�������������� & ����������������V��,Z �� ��������� �� ����S ��a ������_���� l� #�� � `��a\��b%)� ��� ������ �� l� ��� ������� �T��[���T�� �� � ���a���b%�� .��� V�Y�� �Sn��� �,��V��,Z�� �V� �� .�������� V����������& ���[ ������ �� � ��,�T��������� ��� Y�� ���V& �������T��� �� � (� � /������� W��� � � !_\X�� ������TV �U����TV �� V���V ���K4L=� �MAK4L=�����������VU�����T� ��V� �� � ������ �(��V� ���� �� / ����V����& �������� �� � �V�Y���/�� V��,��� ����T���/�T�� ��� ����������Z�� � �( �������V�Y�����������, ��S�� � �������W���� �!��X� � � �� ����������/�� � & V��� ��������� ���T��[ ��� ��W\X G����S �� ����V � ��������������V����V ����& �,��� ����T��������Z�� �� �K4L=� �MAK4L=��� �� /��������TV �� ������V�����V� ��� �V���� �����, ������T�������T�a���V�S������.����T�� ������� Y& ����,���� ������/���������� �� � ��,�T���������� & �����,��������S��������� ���� ���� V���T��������� (��������T����� ��� ����S �� V����/��.�� ��!��\�ŠW`��� ��\X��.�����[�������������TZ����/��.�� �� �& �������� ����� ���� ��� ��a�!�����W`��� ��_X �D�& ���V������������,����Y��� �� ����S ���������Z�� � ��� �����T�� � �R����������Y�������/��,���T� �& �������� ����������W�X�� ����T��� ����,/���V�����0V�& .��T�����V��1���� �/�� ��.���V� � V��,���� �����& ���� �� ����S ����������K4L=���T��[���T��NOR� V�Y������������,�!�!���V^� ��� V��S��/�V���� S�& �����������TV�������������/T��� �� ����S �V�U���& �T���� V����������������&���������� ����������& [�� �� ��������� ������ �� � ��,�T������ ��� �� ���� �����/� V������� ����� �/�V��,�T�����V����� �������Y����������������S���W���i��!�X����� V���� & �V�U�����V ��������T�� �������� �� /V���� � %V�[�� �� ��. � ����� � � ��� ������ V��� ����������������V��,Z �� ��������� �� ����S ��� ��������&�������������� Y���� Y�� �� ��������� ����TZ�� ������ Y���� �������T����� �������� �V��� ���V��� ����� ����V � �V� � ����S �V ���������� ��� �� � �� ��V�Y����Sn��� �,���V��.�� ���V � ��� V��� ��������T����� ���!�����W`��� ���X� ���� ���������Z�� �� ��� � �(��������� ���� ��� � ��� ������ �� � ��,�T���������V��,Z������ ������& ������������ �V��,Z������ ����������,� ����� ��� � ��V� ���� � ���� .�� �����Z�� ��K4L=� �MAK4L= H � �� �P�� � V���,������ Y���� ������ �� � ��,�T������� K4L=�#-��.��0)� �MA'K4!^'L=�#3��1)���� ��������� �L6� �ef ������������ ��� �� � �� �7 -��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6 (300 K) (300 K) (300 K) (300 K) (77 K) (77 K) 3 5 5 4 3 2 1 (300 K) 4ef���� l D �� � Y �� �� ,� �� V � j I ]� ��� �����������!��������������������������������������������������������_ !�� !�_ $� �� V ^� H � �! ��P�� � V���,� ��������� �/���� ������� ��T�� ���� �� � ��,�T��������K4L=�#-��.��0)� �MA'K4!^'L=�#3��1)��� ��������� �L6� �ef�#5ef)������������� ��� �� � �� �7 -��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6 ��� ������������!������������������������������������������������_ 3 4 7 300 K 5 4 3 2 1 4ef���� l !�!` !�!� !�!_ !�!� �� ��������� ���� ����� ��������� ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� G/��Y���T���TZ��V���� /V��� �� �� /�������& �T�� ���� �/�V��,�T�����V����������������������� K4L=� �MAK4L=������������ S������������TV �%����& �����V�� �,��.������U��V ����� ����� ���U / .��& ����������������V� ���� �/T���,��� �� �� � � ��& S� ��� �������T�� �������T������� ����.��� �V ����������� � �V�� ����S���������T��/�V�[�� & �V� �������V����V���VTZ,� �� � ��� � ��p����� ��& S� ��� /�.�� ����������S��VT����S������ ���.�� � U�����V ��������T�� /V���� ���� � �� ��T����V& �������������� ���� �� � ��S� ��������������� .& ���� ������ V���&��� ���� �� � � ��������� ��V�� ��V��������,�T�� ��������� � I� ������ ���V���K4L=aMAK4L=������� ���U / & .�� ������V���T�������MAK4L=���������������� �& � ��V� ���� �/T���,��� Y�������Y�� �����/� ��& [ ����� ����� ��� ��� /&/����/� . ��������V����� ��Z��� �H�/� ���������V��������Z�� ��� ������ �& ��V��� K4L=aMA6K4!^6L=� #'d��_)� � MAqaMA6K4!^6L= #'d��_)������������_��� ���\�l���������������� ���� ���� � �� � �� �� �� �� ST��� ���������� ������� � ��� ���U / .�� ������V������#���� Y���� � � ��& ������� ���� �����)�������MA6K4!^6L=�#'d��_)����& ��.���T����������Y ���MAq7rB� ������Y �������& /�� ���[� ��K4L= �pT����������������.������ & . ��������V��������������������S������l �R������ & � .�� ��� /V�� V������.����,�� /V���� ���������& � k����� ^� _l � �� V� �S��/�V�� V���� .�� �� ��& ���Y�� �����/� ��[ ���� ������ ���V�����[������& �������� ���������� ���U / .�� ������V���T����& ���������������[ V�U� ����V���������� ��������& � ���� �/�V��,�� ��#ef)� � /��������� ��#L6)����& V���������������&�������� "������V������������ �������V���� /V���� � � � �/� V������� �� ����S ����U����TV ��� V���V � �V��,Z�� ������������ ����Y��� �� ��V� ���������& Z�� �� ��� ���� ������� ����V � �����������&���& ��������/����������� ��,��UU� � ������. �� ����& ���K4L=� �MAK4L=������ ������ ���VT���� V���� sss D��������T�� ��������� ���� �/�� ��.��� �V�& �� ������� ����� �� �� ��T�� � ��� ��T��������& ���&���������� ����S �V� ����V � �V��� � � ����& � /�� �������K4L=� �MAK4L=��� �����������V����& �������a���b%���/����������� ��,�/��.�� �� ��& ������� ���� ���������������K4L=�m#� �)]!�!��V^� #���� ()� � ���� Y���� � m������ �V�jI]�� #\\� ()�� �� � ������MA'K4!^'L=�#'d���` ��_�)�a����������������/��& .�� ��m�]!�!��V^��#����()� �m!!������V�jI]��#\\�() R������/��,����V�Y����Sn��� �,� ����� ���[ V����& ��� �V� ����S ���������Z�� �� �U����TV��� V�& ��V������������&���������� ��� �� � �� ������� Y� �V��,Z�� �V� ��������� � ��V� ����������S�� �& ���������� ��� ������V � ���������Z�� �� ��� � D���.���T����/��,���T�V� ���ST�,� ����,/����T �� �����.�� ��� �� � ��,�T������ ��������U���& �� �V� ����U�������S��/��������������.��������& ������. �����V�������T�����. ��� �� / ���[ � /��.�� � G%D"+tP"IJ--uE�G%�"g-G(G ! (����, ����I �G ��H�� V���- �� ��T������/ ����T� � � ����T����������� ��������� ��� a� ��Z ���7�OJ-� !i`� � v;<;CA>� w �� q9;xy4z8;<4� { �� |}4A=8>� ~ �� |4<4}56� w q9B@494C5;A� 4A}� @9;@B9C5B=� ;�� 29� 4A}� ef� };@B}� MA&f4=B} =B35x;A}:xC;9� x;3@;:A}=� ��� czBxy;=6;<48� w;:9A46� ;� qy>=5x= a�!iii a��;6 �_i��v�� a�q �\�\a\�� � �p��������I �J ��E� ��J �F ��N�� ��p �F � ��� �'���& � /V��� �� ����� �/�V��,�T�����V����������������������� K4L=�� �T��[���T�� Y � �U�/���� �� �� � ��� ��(��� � ���S[�� �����U / � a�!i`\ a���i a�% ���a�_ _ �*U V����I �p ��J .�� ��H �k �O / �&� V .�� � �����T� Y � �U�/���� �� �� � a� ' 7� '������� �� !i`� � �(�� ���, ��% �� ��H S� �" �I ��'� ����� �" �I �� �& �V������S��� ������Z�� �K4L=����L6K4L=����� V����HOE ����/ �����������!&��* �����, ������ � ��U �/�U�/ ���& ���������� �� �� �! a����� a�"���� a�% �!�i � � � Z ���� O � % � � UU�/ �� � �� ����� �� �� ����& ������� ��T��V���� ����� ��� S���� a�( Z ���7��� & �����!i\` \ �L66BA�� �2 ���;��w �� ��yB;9>�;��K4L=&;�5}B�5ACB9�4xB =C4CB=� ��� �;6 � �C4CB� c;33:A a� !i`� a� �;6 � _��� v� _ a q ��\ia�`! ` �%����,.�� ��% �% ��+�S�����I �I �%��� ��� ��J�I� %�����.� a�' 7�'������� ���!i`_ i �'��������I �O ��P������ ���+ �O �H�� �/�V��,�T� ���V���T���J�I������O�D a�!ii� a�� ��_ a�% ��!�a��i !� �%�V������F �' ��(� Z��S�� �F ��(���, ��I �D ������ I���� ����������� ���� ��Z�������������� ������� ��� �& ������ ������ ����/����������S��V��S��� �����V����*ON a !ii� a�� �_�����!� a�% �!!�!a!!�� ��������� ������������������ ��� !"��������!�#��$� %��$#����!&�$� �����#�� ��#�&������'��$�����(��)������� �*+,-� ./��00,�12 �����/�� ��3�.���$�4�5� 6�7�3�74 #8529�:;�<*-�=�,>0?>00;�@.3�29�:;�<*-�=�,>0?>00- A?BCDE9�FEFGHIJKLMIDBFNMJ2IO PPP2MIDBFNMJ2IO�FNMJFEFGHIJKDGC � ��� ��� ������������ ��������
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70804
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T16:12:13Z
publishDate 2002
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Круковский, С.И.
2014-11-13T19:40:50Z
2014-11-13T19:40:50Z
2002
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
621.315.592
Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs.
Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Энергетическая микроэлектроника
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE
Article
published earlier
spellingShingle Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
Круковский, С.И.
Энергетическая микроэлектроника
title Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_alt Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE
title_full Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_fullStr Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_full_unstemmed Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_short Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_sort комплексное легирование слоев gaas, ingaas при жидкофазной эпитаксии
topic Энергетическая микроэлектроника
topic_facet Энергетическая микроэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
work_keys_str_mv AT krukovskiisi kompleksnoelegirovaniesloevgaasingaasprižidkofaznoiépitaksii
AT krukovskiisi complexdopinglayersgaasandingaasobtainedbylpe