Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862689737551118336 |
|---|---|
| author | Круковский, С.И. |
| author_facet | Круковский, С.И. |
| citation_txt | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs.
Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:12:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70804 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:12:13Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Круковский, С.И. 2014-11-13T19:40:50Z 2014-11-13T19:40:50Z 2002 Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 621.315.592 Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE Article published earlier |
| spellingShingle | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Круковский, С.И. Энергетическая микроэлектроника |
| title | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_alt | Complex doping layers GaAs and InGaAs obtained by LPE |
| title_full | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_short | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_sort | комплексное легирование слоев gaas, ingaas при жидкофазной эпитаксии |
| topic | Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet | Энергетическая микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskiisi kompleksnoelegirovaniesloevgaasingaasprižidkofaznoiépitaksii AT krukovskiisi complexdopinglayersgaasandingaasobtainedbylpe |