Зображення обкладинки

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2002
Автор:	Круковский, С.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:	Энергетическая микроэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
за авторством: Письменный, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)

Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)

Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
за авторством: Гаврилюк, Г.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Моделирование нагрузочных характеристик оптимального каскадного термоэлектрического охладителя
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)

Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
за авторством: Зайков, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Кравец, В.Ю.
Опубліковано: (2001)

Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)

Исследование проволочного радиатора с тепловыми трубами для средств вычислительной техники
за авторством: Булавин, Л.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)