Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Author: Круковский, С.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Энергетическая микроэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...