Buchumschlag

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет полу...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2002
1. Verfasser:	Круковский, С.И.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Schlagworte:	Энергетическая микроэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70804
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии / С.И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование проволочного радиатора с тепловыми трубами для средств вычислительной техники
von: Булавин, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
von: Кравец, В.Ю.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Моделирование нагрузочных характеристик оптимального каскадного термоэлектрического охладителя
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)