Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. Reception of...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70805 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Масенко, Б.П. 2014-11-13T19:42:10Z 2014-11-13T19:42:10Z 2002 Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 621.315.592 Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Hollow silicon prisms manufacturing conditions for solar cells application Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| spellingShingle |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Масенко, Б.П. Энергетическая микроэлектроника |
| title_short |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_fullStr |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full_unstemmed |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_sort |
условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| author |
Масенко, Б.П. |
| author_facet |
Масенко, Б.П. |
| topic |
Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet |
Энергетическая микроэлектроника |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Hollow silicon prisms manufacturing conditions for solar cells application |
| description |
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания.
Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 |
| citation_txt |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT masenkobp usloviâpolučeniâpolyhkremnievyhprizmdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT masenkobp hollowsiliconprismsmanufacturingconditionsforsolarcellsapplication |
| first_indexed |
2025-12-07T19:43:54Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:43:54Z |
| _version_ |
1850879911300956160 |