Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. Reception of...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862734579478036480 |
|---|---|
| author | Масенко, Б.П. |
| author_facet | Масенко, Б.П. |
| citation_txt | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания.
Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:43:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70805 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:43:54Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Масенко, Б.П. 2014-11-13T19:42:10Z 2014-11-13T19:42:10Z 2002 Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 621.315.592 Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Hollow silicon prisms manufacturing conditions for solar cells application Article published earlier |
| spellingShingle | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Масенко, Б.П. Энергетическая микроэлектроника |
| title | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_alt | Hollow silicon prisms manufacturing conditions for solar cells application |
| title_full | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_fullStr | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full_unstemmed | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_short | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| title_sort | условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
| topic | Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet | Энергетическая микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70805 |
| work_keys_str_mv | AT masenkobp usloviâpolučeniâpolyhkremnievyhprizmdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT masenkobp hollowsiliconprismsmanufacturingconditionsforsolarcellsapplication |