Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автори: Марончук, И.Е., Кучерук, А.Д., Ерохин, С.Ю., Чорный, И.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented.