Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек ра...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862630331805335552 |
|---|---|
| author | Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. |
| author_facet | Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. |
| citation_txt | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава.
The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:59:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70806 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:59:07Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. 2014-11-13T19:44:02Z 2014-11-13T19:44:02Z 2002 Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806 531.781.2 Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления Using of III-V low-dimensional heterostructures in pressure sensors Article published earlier |
| spellingShingle | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. Сенсоэлектроника |
| title | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_alt | Using of III-V low-dimensional heterostructures in pressure sensors |
| title_full | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_fullStr | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_full_unstemmed | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_short | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_sort | использование низкоразмерных гетероструктур соединений а³в⁵ в датчиках давления |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806 |
| work_keys_str_mv | AT marončukie ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ AT kučerukad ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ AT erohinsû ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ AT čornyiiv ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ AT marončukie usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors AT kučerukad usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors AT erohinsû usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors AT čornyiiv usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors |