Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек ра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2002
Автори: Марончук, И.Е., Кучерук, А.Д., Ерохин, С.Ю., Чорный, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70806
record_format dspace
spelling Марончук, И.Е.
Кучерук, А.Д.
Ерохин, С.Ю.
Чорный, И.В.
2014-11-13T19:44:02Z
2014-11-13T19:44:02Z
2002
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806
531.781.2
Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава.
The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Сенсоэлектроника
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
Using of III-V low-dimensional heterostructures in pressure sensors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
spellingShingle Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
Марончук, И.Е.
Кучерук, А.Д.
Ерохин, С.Ю.
Чорный, И.В.
Сенсоэлектроника
title_short Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
title_full Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
title_fullStr Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
title_full_unstemmed Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
title_sort использование низкоразмерных гетероструктур соединений а³в⁵ в датчиках давления
author Марончук, И.Е.
Кучерук, А.Д.
Ерохин, С.Ю.
Чорный, И.В.
author_facet Марончук, И.Е.
Кучерук, А.Д.
Ерохин, С.Ю.
Чорный, И.В.
topic Сенсоэлектроника
topic_facet Сенсоэлектроника
publishDate 2002
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Using of III-V low-dimensional heterostructures in pressure sensors
description Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806
citation_txt Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT marončukie ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ
AT kučerukad ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ
AT erohinsû ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ
AT čornyiiv ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedineniia3v5vdatčikahdavleniâ
AT marončukie usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors
AT kučerukad usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors
AT erohinsû usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors
AT čornyiiv usingofiiivlowdimensionalheterostructuresinpressuresensors
first_indexed 2025-11-30T09:59:07Z
last_indexed 2025-11-30T09:59:07Z
_version_ 1850857248005292032