Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2002
• Main Authors: Марончук, И.Е., Кучерук, А.Д., Ерохин, С.Ю., Чорный, И.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Subjects: Сенсоэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70806
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек ра...