Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70808
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” / Г.В. Савицкий, А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, И.А. Могиляк, И.П. Тростинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 45-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях нарастания температуры. Управляющая программа позволяет формировать температурно-временную диаграмму процесса отжига пластин по заданной с точностью установления времени ~0,01 секунды с визуальным контролем. Modernisation of the “Oникс” system for photon annealing of semiconductor wafers was carried out. It has provided to increase a repetition and reproducibility of the temperature-time annealing cycles with small duration at high temperature increasing rate. The control software of the IBM compatible PC allows to form the temperature-time annealing cycle according to adjusted one with the time accuracy established about 0,01 s at the typical annealing time up to 100 s and annealing temperature up to 1000°C.