Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях нарастания температуры. Управляющая программа позволяет формирова...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70808 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” / Г.В. Савицкий, А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, И.А. Могиляк, И.П. Тростинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 45-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модернизация водогрейных котлов ТВГ
von: Лавренцов, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лавренцов, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Реконструкция и модернизация водогрейных и паровых котлов отопительных систем теплоснабжения (Обзор)
von: Лавренцов, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Лавренцов, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ВЫХОДНЫХ ЦЕПЯХ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА НЕСТАЦИОНАРНУЮ ТЕХНОЛОГИЧЕСКУЮ НАГРУЗКУ
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Модернизация туннельной печи обжига керамического кирпича на предприятии "Метехис керамика" (Грузия)
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Модернизация парка туннельных печей производства керамического кирпича. 2. Совершенствование системы отопления печей
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Малотоннажные установки по переработке углеводородного сырья
von: Ильенко, Б.К., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ильенко, Б.К., et al.
Veröffentlicht: (2011)
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Модернизация парка туннельных печей производства керамического кирпича. 3. Разработка автоматизированной системы управления и контроля
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Модернизация электронно-лучевой сварочной установки ЭЛУ-20
von: Кравчук, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кравчук, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Модернизация парка туннельных печей производства керамического кирпича. 1. Концепция программы модернизации туннельных печей для обжига керамического кирпича и ее реализация
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Ähnliche Einträge
-
Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002) -
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)