Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС
Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70809 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862578603777064960 |
|---|---|
| author | Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. |
| author_facet | Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. |
| citation_txt | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов.
Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils.
|
| first_indexed | 2025-11-26T17:26:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70809 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T17:26:58Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. 2014-11-13T19:51:19Z 2014-11-13T19:51:19Z 2002 Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70809 621.382 (088-8) Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов. Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС Constructive and technological limitations for a design of high voltage CMOS LSIC Article published earlier |
| spellingShingle | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| title | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС |
| title_alt | Constructive and technological limitations for a design of high voltage CMOS LSIC |
| title_full | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС |
| title_fullStr | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС |
| title_full_unstemmed | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС |
| title_short | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС |
| title_sort | конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных кмоп бис |
| topic | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| topic_facet | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70809 |
| work_keys_str_mv | AT verbickiivg konstruktivnotehnologičeskieograničeniâpriproektirovaniivysokovolʹtnyhkmopbis AT zolotarevskiivi konstruktivnotehnologičeskieograničeniâpriproektirovaniivysokovolʹtnyhkmopbis AT nikolaenkoûe konstruktivnotehnologičeskieograničeniâpriproektirovaniivysokovolʹtnyhkmopbis AT samotovkali konstruktivnotehnologičeskieograničeniâpriproektirovaniivysokovolʹtnyhkmopbis AT tovmačes konstruktivnotehnologičeskieograničeniâpriproektirovaniivysokovolʹtnyhkmopbis AT verbickiivg constructiveandtechnologicallimitationsforadesignofhighvoltagecmoslsic AT zolotarevskiivi constructiveandtechnologicallimitationsforadesignofhighvoltagecmoslsic AT nikolaenkoûe constructiveandtechnologicallimitationsforadesignofhighvoltagecmoslsic AT samotovkali constructiveandtechnologicallimitationsforadesignofhighvoltagecmoslsic AT tovmačes constructiveandtechnologicallimitationsforadesignofhighvoltagecmoslsic |