Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862592918322151424 |
|---|---|
| author | Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
| author_facet | Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
| citation_txt | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.
Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C.
|
| first_indexed | 2025-11-27T09:10:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70810 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T09:10:20Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. 2014-11-13T19:53:31Z 2014-11-13T19:53:31Z 2002 Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 621.382.2.029.64 Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики. Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Contact-forming films of titanium borides and nitrides in gallium-arsenide microwave devices Article published earlier |
| spellingShingle | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| title | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_alt | Contact-forming films of titanium borides and nitrides in gallium-arsenide microwave devices |
| title_full | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_fullStr | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_full_unstemmed | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_short | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_sort | контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых свч-приборах |
| topic | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| topic_facet | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 |
| work_keys_str_mv | AT ivanovvn kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT konakovarv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT mileninvv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT stovpovoima kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT ivanovvn contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT konakovarv contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT mileninvv contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT stovpovoima contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices |