Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70810 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. 2014-11-13T19:53:31Z 2014-11-13T19:53:31Z 2002 Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 621.382.2.029.64 Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики. Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Contact-forming films of titanium borides and nitrides in gallium-arsenide microwave devices Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| spellingShingle |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| title_short |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_full |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_fullStr |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_full_unstemmed |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
| title_sort |
контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых свч-приборах |
| author |
Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
| author_facet |
Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
| topic |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| topic_facet |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Contact-forming films of titanium borides and nitrides in gallium-arsenide microwave devices |
| description |
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.
Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70810 |
| citation_txt |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ivanovvn kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT konakovarv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT mileninvv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT stovpovoima kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT ivanovvn contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT konakovarv contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT mileninvv contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices AT stovpovoima contactformingfilmsoftitaniumboridesandnitridesingalliumarsenidemicrowavedevices |
| first_indexed |
2025-11-27T09:10:20Z |
| last_indexed |
2025-11-27T09:10:20Z |
| _version_ |
1850852059119616000 |