Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2002
Автор: Новосядлый, С.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70811
record_format dspace
spelling Новосядлый, С.П.
2014-11-13T19:54:52Z
2014-11-13T19:54:52Z
2002
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811
621.382.8
Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации.
In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
Plasma technology of formation of submicronic structures of the big integrated circuits
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
spellingShingle Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
Новосядлый, С.П.
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
title_short Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
title_full Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
title_fullStr Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
title_full_unstemmed Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
title_sort плазменная технология формирования субмикронных структур бис
author Новосядлый, С.П.
author_facet Новосядлый, С.П.
topic Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
topic_facet Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
publishDate 2002
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Plasma technology of formation of submicronic structures of the big integrated circuits
description Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации. In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811
citation_txt Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT novosâdlyisp plazmennaâtehnologiâformirovaniâsubmikronnyhstrukturbis
AT novosâdlyisp plasmatechnologyofformationofsubmicronicstructuresofthebigintegratedcircuits
first_indexed 2025-12-07T13:30:03Z
last_indexed 2025-12-07T13:30:03Z
_version_ 1850856391575601152

Схожі ресурси