Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние гран...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862623678413406208 |
|---|---|
| author | Новосядлый, С.П. |
| author_facet | Новосядлый, С.П. |
| citation_txt | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации.
In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:30:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70811 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:30:03Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новосядлый, С.П. 2014-11-13T19:54:52Z 2014-11-13T19:54:52Z 2002 Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811 621.382.8 Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации. In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС Plasma technology of formation of submicronic structures of the big integrated circuits Article published earlier |
| spellingShingle | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС Новосядлый, С.П. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| title | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_alt | Plasma technology of formation of submicronic structures of the big integrated circuits |
| title_full | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_fullStr | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_full_unstemmed | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_short | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_sort | плазменная технология формирования субмикронных структур бис |
| topic | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| topic_facet | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811 |
| work_keys_str_mv | AT novosâdlyisp plazmennaâtehnologiâformirovaniâsubmikronnyhstrukturbis AT novosâdlyisp plasmatechnologyofformationofsubmicronicstructuresofthebigintegratedcircuits |