Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• 1. Verfasser: Новосядлый, С.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70811
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы...