Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать харак...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70830 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова, П.А. Ушаков, П.Н. Жарков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862546262813835264 |
|---|---|
| author | Стерхова, А.В. Ушаков, П.А. Жарков, П.Н. |
| author_facet | Стерхова, А.В. Ушаков, П.А. Жарков, П.Н. |
| citation_txt | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова, П.А. Ушаков, П.Н. Жарков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать характерные участки микроструктуры толстопленочного резистора (ТПР) по элементному составу с высокой степенью локальности и достоверности. Впервые выявлен бимодальный характер распределения длины проводящих цепочек и длины макросвязей между гранулами проводящей фазы, полученной по кластерной модели, что необходимо для оценки ширины потенциального барьера при проявлении тунельно-барьерного механизма и расстояния между локализованными состояниями для термоактивационного механизма электропроводности ТПР.
|
| first_indexed | 2025-11-25T09:28:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70830 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T09:28:35Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стерхова, А.В. Ушаков, П.А. Жарков, П.Н. 2014-11-15T08:44:45Z 2014-11-15T08:44:45Z 2001 Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова, П.А. Ушаков, П.Н. Жарков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70830 621.382.8.049.772 Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать характерные участки микроструктуры толстопленочного резистора (ТПР) по элементному составу с высокой степенью локальности и достоверности. Впервые выявлен бимодальный характер распределения длины проводящих цепочек и длины макросвязей между гранулами проводящей фазы, полученной по кластерной модели, что необходимо для оценки ширины потенциального барьера при проявлении тунельно-барьерного механизма и расстояния между локализованными состояниями для термоактивационного механизма электропроводности ТПР. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок Article published earlier |
| spellingShingle | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок Стерхова, А.В. Ушаков, П.А. Жарков, П.Н. Материалы электроники |
| title | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| title_full | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| title_fullStr | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| title_full_unstemmed | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| title_short | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| title_sort | методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70830 |
| work_keys_str_mv | AT sterhovaav metodikaopredeleniâparametrovstrukturnoiiklasternoimodeleitolstyhrezistivnyhplenok AT ušakovpa metodikaopredeleniâparametrovstrukturnoiiklasternoimodeleitolstyhrezistivnyhplenok AT žarkovpn metodikaopredeleniâparametrovstrukturnoiiklasternoimodeleitolstyhrezistivnyhplenok |