Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации
Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока уте...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862668319780241408 |
|---|---|
| author | Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. |
| author_facet | Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. |
| citation_txt | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:24:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70836 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:24:27Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. 2014-11-15T10:44:21Z 2014-11-15T10:44:21Z 2001 Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 621.3.04.774.3:539.16.04 Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Качество. Надежность Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации Article published earlier |
| spellingShingle | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. Качество. Надежность |
| title | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_full | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_fullStr | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_full_unstemmed | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_short | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_sort | новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| topic | Качество. Надежность |
| topic_facet | Качество. Надежность |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 |
| work_keys_str_mv | AT belousai novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT efimenkosa novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT kaloškinép novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT karpovin novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT ponomarʹvn novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT pribylʹskiiav novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii |