Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации
Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока уте...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70836 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. 2014-11-15T10:44:21Z 2014-11-15T10:44:21Z 2001 Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 621.3.04.774.3:539.16.04 Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Качество. Надежность Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| spellingShingle |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. Качество. Надежность |
| title_short |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_full |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_fullStr |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_full_unstemmed |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| title_sort |
новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации |
| author |
Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. |
| author_facet |
Белоус, А.И. Ефименко, С.А. Калошкин, Э.П. Карпов, И.Н. Пономарь, В.Н. Прибыльский, А.В. |
| topic |
Качество. Надежность |
| topic_facet |
Качество. Надежность |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836 |
| citation_txt |
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT belousai novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT efimenkosa novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT kaloškinép novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT karpovin novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT ponomarʹvn novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii AT pribylʹskiiav novyemetodypovyšeniâstoikostibipolârnyhmikroshemkvozdeistviûpronikaûŝeiradiacii |
| first_indexed |
2025-12-07T15:24:27Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:24:27Z |
| _version_ |
1850863588082712576 |