Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации - Белоус, А.И.; Ефименко, С.А.; Калошкин, Э.П.; Карпов, И.Н.; Пономарь, В.Н.; Прибыльский, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.