Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2001
• Автори: Белоус, А.И., Ефименко, С.А., Калошкин, Э.П., Карпов, И.Н., Пономарь, В.Н., Прибыльский, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Теми: Качество. Надежность
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока уте...