Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70837 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860257548328763392 |
|---|---|
| author | Гаджиев, Э.М. Гусейнов, Я.Ю. Исмайлов, Н.М. Касимов, Ф.Д. |
| author_facet | Гаджиев, Э.М. Гусейнов, Я.Ю. Исмайлов, Н.М. Касимов, Ф.Д. |
| citation_txt | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:50:49Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
28
ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ
Ý. Ì. ÃÀÄÆÈÅÂ, ê. ô.-ì. í. ß. Þ. ÃÓÑÅÉÍÎÂ,
ê. ò. í. Í. Ì. ÈÑÌÀÉËÎÂ, ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌÎÂ
Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, Àçåðáàéäæàíñêîå íàöèîíàëüíîå
àýðîêîñìè÷åñêîå àãåíòñòâî; ã. Ñóìãàèò, Ãîñ. óíèâåðñèòåò
E-mail: anasa.ssddb@azeuro.net
ÂËÈßÍÈÅ ÐÀÄÈÀÖÈÎÍÍÎ-ÈÍÄÓÖÈÐÎÂÀÍÍÛÕ
ÝÔÔÅÊÒÎÂ ÍÀ ÐÀÄÈÀÖÈÎÍÍÓÞ ÑÒÎÉÊÎÑÒÜ
ÊÐÅÌÍÈÅÂÛÕ ÌÎÏ-ÑÒÐÓÊÒÓÐ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
07. 11 2000 ã.
Îïïîíåíòû ê. ô.-ì. í. Õ. À. ÀÑÀÄÎÂ,
ä. ò. í. Â. À. ÌÎÊÐÈÖÊÈÉ
Èññëåäîâàíî âëèÿíèå γ-èçëó÷åíèÿ íà
ïàðàìåòðû ãðàíèöû ðàçäåëà Si�SiO2
ÌÎÏ-ñòðóêòóð â çàâèñèìîñòè îò òåõ-
íîëîãè÷åñêèõ ðåæèìîâ èõ ïîëó÷åíèÿ.
Óâåëè÷åíèå ñòåïåíè èíòåãðàöèè èçäåëèé ìèê-
ðîýëåêòðîíèêè îáóñëàâëèâàåò íåîáõîäèìîñòü ïîâû-
øåíèÿ èõ íàäåæíîñòè, â ÷àñòíîñòè, ðàäèàöèîííîé ñòîé-
êîñòè. Îñîáåííî áîëüøîå çíà÷åíèå ýòè àñïåêòû ïðè-
îáðåòàþò ïðè ñîçäàíèè ÌÄÏ èíòåãðàëüíûõ ñõåì,
ïîñêîëüêó ïëåíêè �äèýëåêòðèê�ïîëóïðîâîäíèê�
âåñüìà ÷óâñòâèòåëüíû ê âëèÿíèþ ïîâåðõíîñòíûõ ðà-
äèàöèîííûõ ýôôåêòîâ. Âîçäåéñòâèå ðàäèàöèè íà
ÌÄÏ-ñòðóêòóðû ïðèâîäèò ê çàìåòíîìó èçìåíåíèþ
èõ ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê, ÷òî, â îñíîâíîì, îáóñ-
ëîâëåíî îáðàçîâàíèåì öåíòðîâ çàõâàòà è íàêîïëå-
íèåì ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà â äèýëåêòðèêå, à òàêæå
âîçðàñòàíèåì ïëîòíîñòè áûñòðûõ ïîâåðõíîñòíûõ
ñîñòîÿíèé íà ãðàíèöå ðàçäåëà �äèýëåêòðèê�ïîëó-
ïðîâîäíèê�. Íàêàïëèâàåìûé â ïîäçàòâîðíîì äè-
ýëåêòðèêå çàðÿä è ïëîòíîñòü ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòî-
ÿíèé ïðàêòè÷åñêè ïîëíîñòüþ îïðåäåëÿþò èõ ðàáî-
òîñïîñîáíîñòü [1�3].
Áîëüøîå âëèÿíèå íà ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü
ÌÎÏ-ñòðóêòóð îêàçûâàþò ðåæèìû âûðàùèâàíèÿ
êðåìíèåâîé ïëåíêè è îêèñëà è èõ ïîñëåäóþùåãî
îòæèãà, à òàêæå òåðìîîáðàáîòêè, ïðîâåäåííîé ïåðåä
îáëó÷åíèåì. Óñòàíîâëåíî ñóùåñòâîâàíèå ñèëüíîé
çàâèñèìîñòè ýëåêòðè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ ñëîåâ àìîð-
ôíîãî êðåìíèÿ îò ñòðóêòóðû ôîðìèðóåìîãî ñëîÿ, à
òàêæå îò ðåæèìîâ åãî îñàæäåíèÿ [4]. Â íàñòîÿùåé
ðàáîòå èññëåäîâàíû òåõíîëîãè÷åñêèå óñëîâèÿ ïî-
âûøåíèÿ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè ÌÎÏ-ñòðóêòóð,
êðåìíèåâàÿ ïëåíêà êîòîðûõ ïîëó÷åíà ëàçåðíîé ðåêðè-
ñòàëëèçàöèåé àìîðôíîé ïëåíêè êðåìíèÿ ñ ìíîãîêðàò-
íûì èìïóëüñíûì âîçäåéñòâèåì ìàëîé ìîùíîñòè.
Âûñîêîêà÷åñòâåííûå êðåìíèåâûå ýïèòàêñèàëüíûå
ñëîè íà ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîì êðåìíèè äëÿ ÈÑ ñ
âåðòèêàëüíîé èíòåãðàöèåé ïîëó÷àëè èìïóëüñíîé ëà-
çåðíîé îáðàáîòêîé íà âîçäóõå íåïîñðåäñòâåííî ïîñ-
ëå íàïûëåíèÿ â âàêóóìå (~104 Ïà) àìîðôíûõ ñëîåâ
êðåìíèÿ íà ïîäëîæêó. Òàê êàê ïëîòíîñòü íàïûëåí-
íûõ ñëîåâ ìåíüøå, ÷åì ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåì-
íèÿ, òî â ýïèòàêñèàëüíîì ñëîå ïîñëå ëàçåðíîé îáðà-
áîòêè èíîãäà íàáëþäàëèñü ìèêðîïóçûðüêè è ñôåðè-
÷åñêèå ïóñòîòû, êîòîðûå óäàëÿëèñü, ñîãëàñíî [4], ïî-
âòîðíûìè ëàçåðíûìè èìïóëüñàìè. Îêàçàëîñü âîç-
ìîæíûì ïîëó÷åíèå ýïèòàêñèàëüíûõ ïëåíîê îáðà-
áîòêîé àìîðôíûõ ñëîåâ êðåìíèÿ ìíîãîêðàòíûì èì-
ïóëüñíûì ëàçåðíûì âîçäåéñòâèåì (äëèíà âîëíû
0,694 ìêì, âðåìÿ èìïóëüñà 30 íñ, 100 èìïóëüñîâ)
ñòîëü ìàëîé ýíåðãèè (Å=0,045 Äæ·ñì�2), ÷òî ïëîò-
íîñòü ýíåðãèè îòäåëüíîãî èìïóëüñà íå âûçûâàåò
îáðàçîâàíèå öåíòðîâ ïëàâëåíèÿ íà ïîâåðõíîñòè.
Èññëåäîâàíèÿ ãðàíèöû ðàçäåëà Si�SiO2 ïðî-
âîäèëè ýêñïðåññ-ìåòîäîì, èçëîæåííûì â [5], ïóòåì
èçìåðåíèÿ âîëüò-åìêîñòíîé (Ñ�U) çàâèñèìîñòè
ÌÎÏ-ñòðóêòóð â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èíâåðñèè.
Èçìåðåíèÿ ÂÔÕ îñóùåñòâëÿëèñü ðåçîíàíñíûì ìå-
òîäîì ñ èñïîëüçîâàíèåì ìîñòà ïîëíûõ ïðîâîäèìîñ-
òåé Ë2-7 íà ÷àñòîòå 1 ÌÃö. Ïîëó÷åííûå â ðåçóëüòà-
òå èçìåðåíèé ÂÔÕ ïðèâåäåíû íà ðèñ. 1.
Ñóììàðíûé çàðÿä â îêèñëå QÎX è íà ïîâåðõíîñ-
òíûõ ñîñòîÿíèÿõ QSS â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èí-
âåðñèè îïðåäåëÿëñÿ ïî ôîðìóëå
,)( ÎCUQQ FB
g
FB
SSOX ⋅∆=+ (1)
åìêîñòü ïîäçàòâîðíîãî îêèñëà, îïðåäåëÿåìàÿ
èç ýêñïåðèìåíòàëüíîé ÂÔÕ;
ñäâèã ýêñïåðèìåíòàëüíîé êðèâîé îòíîñèòåëü-
íî òåîðåòè÷åñêîé â òî÷êå åìêîñòè ïëîñêèõ çîí
CS
FB ;
ãäå ÑÎ �
∆Ug
FB �
Ðèñ. 1. Âûñîêî÷àñòîòíûå Ñ�U-õàðàêòåðèñòèêè ÌÎÏ-
ñòðóêòóð, ñôîðìèðîâàííûõ íà ïëåíêå, ðåêðèñòàëëèçîâàí-
íîé ëàçåðíûì ëó÷îì, (2) è íà êîíòðîëüíîé êðåìíèåâîé
ïëàñòèíå ÊÝÔ-0,5 (3); 1 �òåîðåòè÷åñêàÿ êðèâàÿ ÂÔÕ
�5 �4 �3 �2 �1 0 1 2 3 U,B
∆UFB
∆Uinv
12
3
C/C0 1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
29
ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ
Äëÿ âûäåëåíèÿ èç îáùåãî çàðÿäà ãðàíèöû ðàçäå-
ëà çàðÿäà ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé QSS íàõîäèòñÿ
åìêîñòü ïîëóïðîâîäíèêà â òî÷êå èíâåðñèè:
( )[ ]C q N US
inv
S D g
inv
S= −ε ϕ/
/
2
1 2
, (2)
Ïî ôîðìóëå (1) âû÷èñëÿåòñÿ ñóììàðíûé çàðÿä
ãðàíèöû â òî÷êå èíâåðñèè. Ðàçíîñòü ìåæäó çíà÷å-
íèÿìè ñóììàðíîãî çàðÿäà íà ãðàíèöå ðàçäåëà Si�
SiO2 â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èíâåðñèè è åñòü çàðÿä
ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé QSS. Èç ðèñ. 1 âèäíî, ÷òî
ñóììàðíûé çàðÿä QSS íà ãðàíèöå ðàçäåëà Si�SiO2
â ðåêðèñòàëëèçîâàííîé ïëåíêå (êðèâàÿ 2) ìåíüøå,
÷åì â îáû÷íîé êðåìíèåâîé ïëàñòèíå (êðèâàÿ 3).
Ýòî îáúÿñíÿåòñÿ, ïî-âèäèìîìó, òåì, ÷òî âî âðåìÿ
ðåêðèñòàëëèçàöèè ëàçåðíûì ëó÷îì îäíîâðåìåííî
ïðîèñõîäèò è îòæèã ïîâåðõíîñòíûõ äåôåêòîâ.
Ïðè âîçäåéñòâèè èîíèçèðóþùåãî γ-èçëó÷åíèÿ îò
èñòî÷íèêà 60Ño â ïåðåõîäíîé îáëàñòè Si�SiO2 íà-
áëþäàëîñü èíòåíñèâíîå îáðàçîâàíèå äåôåêòîâ ñ ïî-
âûøåíèåì êîíöåíòðàöèè ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé,
êîòîðîå äîõîäèëî â íåêîòîðûõ ñëó÷àÿõ äî äâóõ
ïîðÿäêîâ. Ýòî ñâÿçàíî ñ îáðàçîâàíèåì â äèýëåêò-
ðèêå ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð, ÷àñòü êîòîðûõ ðå-
êîìáèíèðóåò äðóã ñ äðóãîì, à äðóãàÿ ÷àñòü ïåðåìå-
ùàåòñÿ ïî äèýëåêòðè÷åñêîé ïëåíêå.  äèîêñèäå êðåì-
íèÿ ïîäâèæíîñòü äûðîê âî ìíîãî ðàç ìåíüøå, ÷åì
ïîäâèæíîñòü ýëåêòðîíîâ. Âñëåäñòâèå ýòîãî ýëåêò-
ðîíû ïîêèäàþò îêñèä, à äûðêè, èçáåæàâøèå ðåêîì-
áèíàöèè, çàõâàòûâàþòñÿ íà ëîâóøêè â äèýëåêòðèêå.
Òàêèì îáðàçîì, â îáúåìå äèýëåêòðèêà íàêàïëèâàåò-
ñÿ ïîëîæèòåëüíûé çàðÿä. Î÷åâèäíî, âåëè÷èíà ýòîãî
çàðÿäà è ñêîðîñòü åãî íàêîïëåíèÿ çàâèñÿò îò äîëè
îáðàçîâàâøèõñÿ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð, èçáåæàâ-
øèõ ðåêîìáèíàöèè. Â [6] áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ýòà
äîëÿ çàâèñèò íå îò âèäà èçëó÷åíèÿ, à òîëüêî îò
ýíåðãèè êâàíòîâ ýëåêòðîìàãíèòíîãî èçëó÷åíèÿ (óëü-
òðàôèîëåòîâûå ëó÷è, ìÿãêîå è æåñòêîå ðåíòãåíî-
âñêèå èçëó÷åíèÿ, γ-èçëó÷åíèå).
Ïðîâåäåííûìè èññëåäîâàíèÿìè óñòàíîâëåíî, ÷òî
íàèáîëåå ñîâåðøåííóþ ãðàíèöó ðàçäåëà Si�SiO2
(NSS≤1010ñì�2) óäàåòñÿ ïîëó÷èòü ïðè òåðìè÷åñêîì
îêèñëåíèè êðåìíèÿ â ñóõîì êèñëîðîäå â ïðèñóò-
ñòâèè ïàðîâ HCl â êîíöåíòðàöèè 0,3�1%. Òàêîå
çàìåòíîå âëèÿíèå íåçíà÷èòåëüíîãî êîëè÷åñòâà õëî-
ðèñòîãî âîäîðîäà îáúÿñíÿåòñÿ âçàèìîäåéñòâèåì õëî-
ðà ñ èìåþùèìèñÿ â îêèñëå ïîäâèæíûìè ïîëîæè-
òåëüíûìè èîíàìè íàòðèÿ è èõ ñòàáèëèçàöèåé.
Íà ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ÌÎÏ-ñòðóêòóð
âëèÿåò òàêæå ñêîðîñòü âûðàùèâàíèÿ îêèñëà. Ðàç-
ëè÷íûå ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ ïðè ïîñòîÿííîé òåì-
ïåðàòóðå äîñòèãàëèñü èñïîëüçîâàíèåì ïîíèæåííûõ
ïàðöèàëüíûõ äàâëåíèé êèñëîðîäà â íåñóùåì ãàçå
àçîòå èëè àðãîíå. Óñòàíîâëåíî, ÷òî ðàäèàöèîííàÿ
÷óâñòâèòåëüíîñòü ðåçêî ïîâûøàåòñÿ ñ óìåíüøåíèåì
ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ ïðè èñïîëüçîâàíèè àçîòà, íî
îñòàåòñÿ íåèçìåííî íèçêîé, êîãäà íåñóùèì ãàçîì
ÿâëÿåòñÿ àðãîí (ðèñ. 2).
Àíàëîãè÷íûå ðåçóëüòàòû áûëè ïîëó÷åíû äëÿ
íàïðÿæåíèé ïëîñêèõ çîí ∆UFB è ïîðîãîâîãî íàïðÿ-
æåíèÿ Uïîð, âû÷èñëåííûõ èç C�V-õàðàêòåðèñòèê
ïðè ïîëîæèòåëüíûõ è îòðèöàòåëüíûõ ñìåùåíèÿõ, ïðè-
ëîæåííûõ ê çàòâîðó â ïðîöåññå îáëó÷åíèÿ. Ðåçóëü-
òàòû, ïîëó÷åííûå â àðãîíå, óêàçûâàþò íà îòñóòñòâèå
çàâèñèìîñòè ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè ñòðóêòóðû îò
ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ îêèñëà â ñóõîì êèñëîðîäå
ïðè 1273 Ê. Ëèíåéíàÿ çàâèñèìîñòü èíäóöèðîâàííûõ
ðàäèàöèåé ñäâèãîâ íàïðÿæåíèÿ ïëîñêèõ çîí îò ïàð-
öèàëüíîãî äàâëåíèÿ àçîòà îçíà÷àåò, ÷òî àçîò íå ÿâ-
ëÿåòñÿ èíåðòíûì ãàçîì ïðè âûðàùèâàíèè îêèñëà. Â
ñîîòâåòñòâèè ñ âåëè÷èíîé êîýôôèöèåíòà äèôôóçèè
àçîòà â SiO2 åãî êîíöåíòðàöèÿ ó ïîâåðõíîñòè ðàç-
äåëà Si�SiO2 ïðÿìî ïðîïîðöèîíàëüíà âíåøíåìó ïàð-
öèàëüíîìó äàâëåíèþ, ò. å. ìîæíî ñ÷èòàòü, ÷òî íåêî-
òîðîå êîëè÷åñòâî àçîòà ïîïàäàåò â îêèñåë ïðè åãî
âûðàùèâàíèè.
Èçìåíÿÿ äëèòåëüíîñòü è òåìïåðàòóðó îòæèãà, ïî-
ëó÷àëè îêèñëû ñ îïðåäåëåííîé çàäàííîé ðàäèàöèîí-
íîé ñòîéêîñòüþ. Òàê, óìåíüøåíèå òåìïåðàòóðû îò-
æèãà ñ 1370 äî 1170 Ê óëó÷øàëî ðàäèàöèîííóþ
ñòîéêîñòü ñòðóêòóð ïî÷òè íà ïîðÿäîê (ðèñ. 3).
Èç ðèñ. 4 âèäíî, ÷òî ïðè ïîñòîÿííîé òåìïåðàòó-
ðå îòæèãà (íà÷èíàÿ ñ 1220 Ê) ðàäèàöèîííàÿ ñòîé-
êîñòü âíà÷àëå óëó÷øàåòñÿ, à çàòåì ïàäàåò. Îòæèã â
òå÷åíèå 360�420 ñ ïðè 1220 Ê äàåò òàêîå æå èçìå-
íåíèå âåëè÷èíû ñäâèãà íàïðÿæåíèÿ ïëîñêèõ çîí, êàê
è îòæèã â òå÷åíèå ÷àñà ïðè òåìïåðàòóðå 1120 Ê.
íàïðÿæåíèå íà çàòâîðå â òî÷êå èíâåðñèè;
ïîâåðõíîñòíûé ïîòåíöèàë, ïðèíèìàåìûé â
òî÷êå èíâåðñèè ðàâíûì 2ϕF;
óðîâåíü Ôåðìè â ïîëóïðîâîäíèêå.
ãäå Ug
inv �
ϕS �
ϕF �
çàðÿä ýëåêòðîíà;
äèýëåêòðè÷åñêàÿ ïðîíèöàåìîñòü ïîëóïðîâîäíè-
êà;
êîíöåíòðàöèÿ ëåãèðóþùåé ïðèìåñè äîíîðíîãî
òèïà;
ïîñòîÿííàÿ Áîëüöìàíà;
àáñîëþòíàÿ òåìïåðàòóðà.
q �
εS �
ND �
k �
Ò �
;)/( 2/1kTNqC DS
FB
S ε=
0 10 20 30 40 50
14
12
10
8
6
4
2
Ïàðöèàëüíîå äàâëåíèå, %
Ñ
äâ
èã
í
àï
ðÿ
æ
åí
èÿ
U
Ï
Ç
, Â
2
1
Ðèñ. 2. Ðàäèàöèîííî-èíäóöèðîâàííûå ñäâèãè íàïðÿæå-
íèÿ ïëîñêèõ çîí (UÏÇ) äëÿ îêèñëîâ, âûðàùåííûõ ïðè
ðàçëè÷íûõ ïàðöèàëüíûõ äàâëåíèÿõ àðãîíà (1) è àçîòà
(2), ïîñëå îáëó÷åíèÿ äîçîé 106 ðàä
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
30
ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ
Òàêèì îáðàçîì, óñòàíîâëåíî, ÷òî â ÌÎÏ-ñòðóê-
òóðàõ, êðåìíèåâàÿ ïëåíêà êîòîðûõ ïîëó÷åíà ëàçåð-
íîé ðåêðèñòàëëèçàöèåé àìîðôíîé ïëåíêè êðåìíèÿ ñ
ìíîãîêðàòíûì èìïóëüñíûì âîçäåéñòâèåì ìàëîé ìîù-
íîñòè, íàèáîëüøàÿ ðàäèàöèîííàÿ ñòîéêîñòü äîñòèãà-
åòñÿ ïðè ôîðìèðîâàíèè äèîêñèäà êðåìíèÿ îêèñëå-
íèåì â ñóõîì êèñëîðîäå ñ ìàëîé äîáàâêîé HCl è
ïîñëåäóþùèì îòæèãîì â àðãîíå. Ýêñïåðèìåíòû ïî
èçó÷åíèþ âëèÿíèÿ äëèòåëüíîñòè è òåìïåðàòóðû îò-
æèãà ïîçâîëèëè óñòàíîâèòü, ÷òî êàæäîé òåìïåðàòó-
ðå îòæèãà ñîîòâåòñòâóåò îïòèìàëüíîå çíà÷åíèå åãî
äëèòåëüíîñòè ñ òî÷êè çðåíèÿ ïîëó÷àåìîé ðàäèàöè-
îííîé ñòîéêîñòè, ò. å. ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ìîæ-
íî ðåãóëèðîâàòü âðåìåíåì è òåìïåðàòóðîé îòæèãà.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ãåðàñèìîâ À. Á., Äæàíäèåðè Ì. Ø., Öåðöâàäçå
À. À. Êèíåòèêà íàêîïëåíèÿ èíäóöèðîâàííîãî ðàäèàöè-
åé ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà â äèýëåêòðèêàõ ÌÄÏ-
ñòðóêòóð // Ìèêðîýëåêòðîíèêà.� 1980.� Ò. 9, ¹5.�
Ñ. 450�455.
2. Âèíåöêèé Â. Ë., ×àéêà Ã. Å., Øåâ÷åíêî Å. Ñ. Äè-
íàìèêà âñòðàèâàíèÿ çàðÿäà ïðè îáëó÷åíèè ÌÄÏ-ñòðóê-
òóðû // ÔÒÏ.� 1982.� Ò. 16, ¹ 8.� Ñ. 1478�1482.
3. Collins T. V., Holmstrom F. E., Churchhill J. N.
Charge distributions in MOS capacitors for large
irradiation doses // IEEE Trans. Nucl. Sci.� 1979.�
Vol. NS-26, N 6.� P. 5176�5179.
4. Êðàñíèêîâ Ã. ß., Ìàíæà Í. Ì., Ëåáåäåâ Ñ. Â. è
äð. Àìîðôíûé êðåìíèé � ïåðñïåêòèâíûé ìàòåðèàë äëÿ
ìèêðîýëåêòðîíèêè // Ýëåêòðîííàÿ ïðîìûøëåííîñòü.�
2000.� ¹ 3.� Ñ. 44�47.
5. Êàñèìîâ Ô. Ä., Àáäóëëàåâ À. Ã., Âåòõîâ Â. À. Èñ-
ñëåäîâàíèå ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè íîñèòåëåé â
îáúåìå è íà ãðàíèöàõ çåðåí ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåì-
íèÿ ìåòîäîì C�V-õàðàêòåðèñòèê // Â ñá.: Äèýëåêòðè-
êè è ïîëóïðîâîäíèêè.�Êèåâ, Âèùà øêîëà.� 1985.�
Âûï. 28.� Ñ. 64�68.
6. Dozier C. M., Brown D. B. Effect of photon energy
on the response of MOS devices // IEEE Trans. Nucl.
Sci.� 1981.� Vol. NS-28, N 6.� P. 4137�4141.
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü ðàäèàöèîííî-èíäóöèðîâàííûõ
ñäâèãîâ UFB äëÿ ÌÎÏ-êîíäåíñàòîðîâ íà ïîäëîæêå
ð-òèïà îò äîçû îáëó÷åíèÿ ïðè òåìïåðàòóðå îòæèãà
1173 Ê (1), 1223 Ê (2), 1273 Ê (3), 1323 Ê (4), 1373 Ê (5)
103 104 105 106
Äîçà îáëó÷åíèÿ, ðàä
Ñ
äâ
èã
í
àï
ðÿ
æ
åí
èÿ
U
F
B
, Â
0
�2
�4
�6
�8
1
2
3
4
5
Ðèñ. 4. Çàâèñèìîñòü âåëè÷èíû ñäâèãà ïëîñêèõ çîí îò
äëèòåëüíîñòè îòæèãà (τ) ïðè òåìïåðàòóðå 1273 Ê (1),
1223 Ê (2), 1173 Ê (3), 1123 Ê (4) ïðè äîçå îáëó÷åíèÿ
105 ðàä
10
1
6 60 102
τ, c
Ñ
äâ
èã
í
àï
ðÿ
æ
åí
èÿ
U
F
B
, B
2
1
3
4
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ï
îðòô
åëå ðåäàê
ö
è
è
â ï
îðòô
åëå ðåäàê
ö
è
è
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèèâ
ï
îð
òô
åë
å
ðå
äà
ê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ðå
äà
ê
ö
è
è
Ø
Ø
Àëãîðèòì óïðàâëåíèÿ äëÿ íå÷åòêîãî ðåãóëÿòîðà. Ë. Ï. Âåðøèíèíà (Ðîññèÿ, ã. Ñ.-Ïåòåðáóðã)
Ìîäåëèðîâàíèå ðàçúåìíûõ êîíòàêòîâ â ýëåêòðè÷åñêèõ ñîåäèíåíèÿõ ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðû.
À. À. Åôèìåíêî, Â. Â. Øàòàëîâ (Óêðàèíà, ã. Îäåññà)
Ñîñòîÿíèå è òåíäåíöèè ðàçâèòèÿ òâåðäîòåëüíûõ ôîòîïðåáðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè.
Þ. Å. Íèêîëàåíêî, Í. Ì. Âàêèâ, Ñ. È Êðóêîâñêèé, Â. Þ. Åðîõîâ, È. È. Ìåëüíèê, È. Ð.
Çàâåðáíûé (Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ)
Êðåìíèåâûå P�N-ôîòîäèîäû äëÿ áëèæíåé óëüòðàôèîëåòîâîé îáëàñòè ñïåêòðà. Þ. Ã. Äîáðî-
âîëüñêèé, Â. Â. Ðþõòèí, À. Á. Øèìàíîâñêèé (Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû)
Ø
Ø
Ø
Ø
Ê âîïðîñó î ïðîåêòèðîâàíèè âûñîêîâîëüòíûõ ÊÌÎÏ ÁÈÑ êëþ÷åé è
êîììóòàòîðîâ. Â. Ã. Âåðáèöêèé, Â. È. Çîëîòàðåâñêèé, Þ. Å. Íèêîëà-
åíêî, Ë. È. Ñàìîòîâêà, Å. Ñ. Òîâìà÷ (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Íåãàòðîííûå ýëåìåíòû íà îñíîâå ëîêàëüíûõ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî
êðåìíèÿ. Ô. Ä. Êàñèìîâ, Ì. Ð. Ðàãèìîâ (Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó)
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70837 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:50:49Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаджиев, Э.М. Гусейнов, Я.Ю. Исмайлов, Н.М. Касимов, Ф.Д. 2014-11-15T10:46:28Z 2014-11-15T10:46:28Z 2001 Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70837 621.315.592 Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Качество. Надежность Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур Гаджиев, Э.М. Гусейнов, Я.Ю. Исмайлов, Н.М. Касимов, Ф.Д. Качество. Надежность |
| title | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур |
| title_full | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур |
| title_fullStr | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур |
| title_full_unstemmed | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур |
| title_short | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур |
| title_sort | влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых моп-структур |
| topic | Качество. Надежность |
| topic_facet | Качество. Надежность |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70837 |
| work_keys_str_mv | AT gadžievém vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstoikostʹkremnievyhmopstruktur AT guseinovâû vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstoikostʹkremnievyhmopstruktur AT ismailovnm vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstoikostʹkremnievyhmopstruktur AT kasimovfd vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstoikostʹkremnievyhmopstruktur |