Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
Фосфид галлия — основной материал светодиодов красного и зеленого цвета излучения. Однако он не является прямозонным материалом, что не позволяет использовать его для создания лазеров. Предлагается превратить его в прямозонный полупроводник ZnP путем модификации фосфида галлия. Это достижимо с помощ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Hauptverfasser: | Гаркавенко, А.С., Мокрицкий, В.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70845 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
von: Смирнов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Смирнов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
von: Адамов, Г.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Адамов, Г.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Коваленко, К.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваленко, К.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Гибкие фольгированные диэлектрики: классификация и анализ направлений применения и совершенствования
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Севастьянов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Севастьянов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
von: Максимчук, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Максимчук, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
von: Антонова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Антонова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)