Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
Фосфид галлия — основной материал светодиодов красного и зеленого цвета излучения. Однако он не является прямозонным материалом, что не позволяет использовать его для создания лазеров. Предлагается превратить его в прямозонный полупроводник ZnP путем модификации фосфида галлия. Это достижимо с помощ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | Гаркавенко, А.С., Мокрицкий, В.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70845 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Ротнер, С.М., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ротнер, С.М., та інші
Опубліковано: (2006)
Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
за авторством: Ярмолич, М.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ярмолич, М.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
за авторством: Смирнов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Смирнов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2005)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
за авторством: Севастьянов, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Севастьянов, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2019)
Гибкие фольгированные диэлектрики: классификация и анализ направлений применения и совершенствования
за авторством: Воробьев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Воробьев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2002)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010) -
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014) -
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)