Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше. The research of i...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70852 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862709950025826304 |
|---|---|
| author | Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_facet | Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. |
| citation_txt | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.
The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:21:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70852 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:21:00Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. 2014-11-15T14:11:04Z 2014-11-15T14:11:04Z 2001 Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70852 621.37/39.193:539.216:539.211 Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше. The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe The irradiation of IR-photoreceivers based on CdHgTe Article published earlier |
| spellingShingle | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe Завадский, В.А. Зубарев, В.В. Мокрицкий, В.А. Материалы для микроэлектроники |
| title | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_alt | The irradiation of IR-photoreceivers based on CdHgTe |
| title_full | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_fullStr | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_full_unstemmed | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_short | Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe |
| title_sort | радиационная обработка ик-фотоприемников на основе cdhgte |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70852 |
| work_keys_str_mv | AT zavadskiiva radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte AT zubarevvv radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte AT mokrickiiva radiacionnaâobrabotkaikfotopriemnikovnaosnovecdhgte AT zavadskiiva theirradiationofirphotoreceiversbasedoncdhgte AT zubarevvv theirradiationofirphotoreceiversbasedoncdhgte AT mokrickiiva theirradiationofirphotoreceiversbasedoncdhgte |