Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70853
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. The results of studies of deep refinement of gallium, zinc, cadmium and tellurium by distillation methods have been explained, including removing volatile impurities, distillation and filtering of base metal by the use of simple systems. It has been shown that the total content of the basic impurity elements in gallium, zinc, cadmium and tellurium after refinement can be reduced accordingly to a level 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴.