Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70853 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862644448974864384 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| citation_txt | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴.
The results of studies of deep refinement of gallium, zinc, cadmium and tellurium by distillation methods have been explained, including removing volatile impurities, distillation and filtering of base metal by the use of simple systems. It has been shown that the total content of the basic impurity elements in gallium, zinc, cadmium and tellurium after refinement can be reduced accordingly to a level 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴.
|
| first_indexed | 2025-12-01T09:06:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70853 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T09:06:15Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. 2014-11-15T14:12:46Z 2014-11-15T14:12:46Z 2001 Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70853 669.054 Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. The results of studies of deep refinement of gallium, zinc, cadmium and tellurium by distillation methods have been explained, including removing volatile impurities, distillation and filtering of base metal by the use of simple systems. It has been shown that the total content of the basic impurity elements in gallium, zinc, cadmium and tellurium after refinement can be reduced accordingly to a level 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники Winning high purity gallium, zinc, cadmium and tellurium for microelectronics Article published earlier |
| spellingShingle | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники |
| title | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_alt | Winning high purity gallium, zinc, cadmium and tellurium for microelectronics |
| title_full | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_fullStr | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_full_unstemmed | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_short | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_sort | получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70853 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki AT kravčenkoai polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki AT ŝerbanʹap polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki AT kovtungp winninghighpuritygalliumzinccadmiumandtelluriumformicroelectronics AT kravčenkoai winninghighpuritygalliumzinccadmiumandtelluriumformicroelectronics AT ŝerbanʹap winninghighpuritygalliumzinccadmiumandtelluriumformicroelectronics |